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氮化鎵柵極驅(qū)動專利：RC負偏壓關斷專利技術之臺達電子篇
從臺達電子的上述專利來看，其采用的專利布局策略是基于一個大的電路結構框架，在各個具體的擴展電路上去改進，以專利族1為代表，這種方式可以使得這些專利作為同族專利共同享有同一個最早優(yōu)先權，另外也能彌補單個專利說明書內(nèi)容不夠豐富的缺陷，便于專利在審查中的修改。這種專利布局方式在很多公...
2023-01-10
氮化鎵柵極驅(qū)動 RC負偏壓 臺達電子
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車規(guī)碳化硅功率模塊 - 襯底和外延篇
中國汽車工業(yè)協(xié)會最新數(shù)據(jù)顯示，2022年1月至11月，新能源汽車產(chǎn)銷分別完成625.3萬輛和606.7萬輛，同比均增長1倍，市場占有率達到25%。由此可見新能源汽車的發(fā)展已經(jīng)進入了快車道。在這里我們注意到，由于里程焦慮和快速充電的要求，800V 電池母線系統(tǒng)獲得了不少的OEM或者Tier1的青睞。談到800V母線...
2023-01-10
車規(guī) 碳化硅 功率模塊 安森美
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碳化硅器件動態(tài)特性測試技術剖析
提到動態(tài)特性，大家的第一反應一定是開關特性，這確實是功率器件的傳統(tǒng)核心動態(tài)特性。由于其是受到器件自身參數(shù)影響的，故器件研發(fā)人員可以根據(jù)開關波形評估器件的特性，并有針對性地進行優(yōu)化。另外，電源工程師還可以基于測試結果對驅(qū)動電路和功率電路設計進行評估和優(yōu)化。
2023-01-10
碳化硅器件 動態(tài)特性 測試技術
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數(shù)字隔離器可用于本質(zhì)安全應用
多年來，隨著行業(yè)需要更多更快的通信，該標準發(fā)生了變化。為適應光耦合器做出了兩項努力。個是附件F，它是為比標準主體假設的更清潔的安裝環(huán)境（污染等級2）而制定的。這使得爬電距離和間隙更短。此外，穿透絕緣距離降低到0.2 mm，這使得大多數(shù)光耦合器能夠滿足要求。
2023-01-10
數(shù)字隔離器 本質(zhì)安全應用
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低噪聲電源有多種類型：線性穩(wěn)壓器
對于需要低輸出電壓噪聲的便攜式系統(tǒng)，線性穩(wěn)壓器通常是系統(tǒng)電源的“首選”。理想情況下，線性穩(wěn)壓器直接由電池電源供電，而不是中間DC/DC轉(zhuǎn)換器供電，以實現(xiàn)最低噪聲性能。取決于線性穩(wěn)壓器，輸出電壓噪聲低至 0.8μV有效值是可能的。
2023-01-10
低噪聲電源 線性穩(wěn)壓器
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滿足高度緊湊型1500-V并網(wǎng)逆變器需求的新型ANPC功率模塊
本文提出了一種優(yōu)化的ANPC拓撲結構。該拓撲結構支持最新的1200-V SiC T-MOSFET與IGBT技術優(yōu)化組合，實現(xiàn)成本效益。市場上將推出一款采用全集成ANPC拓撲結構的新型功率模塊，適用于高度緊湊型、高效率1500-V并網(wǎng)逆變器。新開發(fā)的Easy3B功率模塊在48kHz頻率條件下，可以實現(xiàn)輸出功率達到200kW以上。此...
2023-01-10
逆變器 功率模塊 Si IGBT
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如何優(yōu)化隔離柵級驅(qū)動電路?
柵極驅(qū)動光電耦合器FOD31xx系列的功能是用作電源緩沖器，來控制功率MOSFET或IGBT的柵極。它為MOSFET 或 IGBT 的柵極輸入供應所需的峰值充電電流，來打開器件。該目標通過向功率半導體的柵極提供正壓(VOH)來實現(xiàn)。若要關閉MOSFET或IGBT，需拉起驅(qū)動器件的柵極至0電壓(VOL)或更低。
2023-01-10
柵極驅(qū)動 光電耦合器
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