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小而薄的MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)IC更適合小型化應(yīng)用
電器中配電、上電排序和電源狀態(tài)轉(zhuǎn)換都需要負(fù)載開關(guān)，它可以減小待機(jī)模式下的漏電流，抑制浪涌電流，實(shí)現(xiàn)斷電控制。負(fù)載開關(guān)的作用是開啟和關(guān)閉電源軌，大部分負(fù)載開關(guān)包含四個(gè)引腳：輸入電壓引腳、輸出電壓引腳、使能引腳和接地引腳。當(dāng)通過ON引腳使能器件時(shí)，導(dǎo)通FET接通，從而使電流從輸入引腳流...
2023-01-12
MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)IC
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降本增效，就選國(guó)產(chǎn)霍爾電流傳感器！
電流是工業(yè)設(shè)備里面常見的被測(cè)量，檢測(cè)方法也主要分為直接式與非直接式兩種。其中直接式是用分流器串入到回路中，這種方案對(duì)于小電流場(chǎng)合較為適用，電流過大就受限于功率發(fā)熱等因素。非直接式則指的是利用電流互感器或者霍爾電流傳感器進(jìn)行無插入損耗的測(cè)量，其中霍爾電流傳感器由于其在精度、線性...
2023-01-12
國(guó)產(chǎn) 霍爾電流傳感器 金升陽
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網(wǎng)絡(luò)分析儀在材料測(cè)試中的應(yīng)用
自然界中大多數(shù)物質(zhì)在微波波段都呈現(xiàn)為有損耗的絕緣體，稱之為電介質(zhì)，簡(jiǎn)稱介質(zhì)。介質(zhì)在電場(chǎng)的作用下都會(huì)發(fā)生極化現(xiàn)象，即介質(zhì)在外加電場(chǎng)的作用下其內(nèi)部的正負(fù)電荷向著相反方向發(fā)生微小位移，從而產(chǎn)生許多電偶極矩。介質(zhì)極化后在介質(zhì)內(nèi)部產(chǎn)生一個(gè)極化電場(chǎng)，這個(gè)電場(chǎng)的方向與外加電磁場(chǎng)的方向相反，...
2023-01-12
網(wǎng)絡(luò)分析儀 材料測(cè)試
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電感飽和與開關(guān)電源之間的密切關(guān)系(上篇）
作為電源界的"古早網(wǎng)紅"，開關(guān)電源以小型、輕量和高效率的特點(diǎn)被廣泛應(yīng)用在幾乎所有的電子設(shè)備中，而且在當(dāng)今的智能互聯(lián)時(shí)代也依然占據(jù)通信系統(tǒng)的C位，其熱度經(jīng)久不衰。
2023-01-12
電感飽和 開關(guān)電源
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使用虛擬實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)預(yù)測(cè)先進(jìn)FinFET技術(shù)的工藝窗口和器件性能
負(fù)載效應(yīng) (loading) 的控制對(duì)良率和器件性能有重大影響，并且它會(huì)隨著 FinFET（鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管）器件工藝的持續(xù)微縮變得越來越重要[1-2]。當(dāng)晶圓的局部刻蝕速率取決于現(xiàn)有特征尺寸和局部圖形密度時(shí)，就會(huì)發(fā)生負(fù)載效應(yīng)?？涛g工藝 loading 帶來的器件結(jié)構(gòu)上的微小變化可能會(huì)對(duì)器件良率和性能產(chǎn)生負(fù)...
2023-01-11
虛擬實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì) FinFET技術(shù)
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使用即插即用的D類放大器輕松實(shí)現(xiàn)可穿戴和物聯(lián)網(wǎng)音頻
耗電顯示器不是與電池供電的便攜式、可穿戴和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備接口的最有效媒介。因此，低功耗音頻正迅速成為一種更受歡迎的替代品。在本設(shè)計(jì)解決方案中，我們回顧了D類數(shù)字音頻放大器，并討論了一些當(dāng)前解決方案的限制，然后介紹了一種巧妙封裝的IC，該IC需要最少的配置即可快速為這些應(yīng)用帶來高質(zhì)量的音...
2023-01-11
D類放大器 可穿戴 物聯(lián)網(wǎng)音頻
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能讓檢測(cè)設(shè)備擺脫電池的熱能收集技術(shù)
能量收集(energy harvesting)是指從環(huán)境或系統(tǒng)本身，收集為電子設(shè)備供電所需的能量；更具體地說，熱能收集是將收集自發(fā)熱源的熱能，轉(zhuǎn)化為電能。
2023-01-11
檢測(cè)設(shè)備 電池 熱能收集技術(shù)
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