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雙色LED點(diǎn)陣顯示器行、列引腳的識(shí)別與檢測(cè)
雙色點(diǎn)陣顯示器有共陽(yáng)型和共陰型兩種類型。圖13—20所示是8×8雙色點(diǎn)陣顯示器的電路結(jié)構(gòu)，圖13—20（a）為共陽(yáng)型點(diǎn)陣顯示器，有8行16列，每行的16個(gè)LED（兩個(gè)LED組成一個(gè)發(fā)光點(diǎn)）的正極接在一根行公共線上，有8根行公共線，每列的8個(gè)LED的負(fù)極接在一根列公共線上，共有16根列公共線，共陽(yáng)型點(diǎn)陣顯示器...
2024-08-30
雙色LED 點(diǎn)陣顯示器
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觀眾如潮！AI+IoT行業(yè)頂級(jí)盛會(huì)，重磅開(kāi)幕！
IOTE 2024第二十二屆國(guó)際物聯(lián)網(wǎng)展·深圳站 + AGIC 2024 國(guó)際通用人工智能展在深圳國(guó)際會(huì)展中心盛大開(kāi)幕。
2024-08-30
AI+IoT 國(guó)際物聯(lián)網(wǎng)展
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什么是IGBT的退飽和（desaturation）？ 什么情況下IGBT會(huì)進(jìn)入退飽和狀態(tài)？
這要從IGBT的平面結(jié)構(gòu)說(shuō)起。IGBT和MOSFET有類似的器件結(jié)構(gòu)，MOS中的漏極D相當(dāng)于IGBT的集電極C，而MOS的源極S相當(dāng)于IGBT的發(fā)射極E，二者都會(huì)發(fā)生退飽和現(xiàn)象。下圖所示是一個(gè)簡(jiǎn)化平面型IGBT剖面圖，以此來(lái)闡述退飽和發(fā)生的原因。柵極施加一個(gè)大于閾值的正壓VGE，則柵極氧化層下方會(huì)出現(xiàn)強(qiáng)反型層，形成...
2024-08-30
IGBT 退飽和
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21載卓越奉獻(xiàn)，共鑒輝煌成長(zhǎng)之路
Andrea在任期間，始終展現(xiàn)著堅(jiān)定不移的奉獻(xiàn)精神、沉穩(wěn)的氣質(zhì)以及深切的同理心，深深觸動(dòng)了每一位同事與客戶的心。他的卓越貢獻(xiàn)是公司成長(zhǎng)與成功的關(guān)鍵所在，特別是在推動(dòng)業(yè)務(wù)多元化方面，他的努力更是功不可沒(méi)。
2024-08-29
Andrea Feuerstein
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新品上市：Fluke 283FC/PV 1500V數(shù)字萬(wàn)用表和無(wú)線電流鉗
2024 年 8 月7 日，福祿克公司重磅推出Fluke 283FC/PV系列1500V數(shù)字萬(wàn)用表和無(wú)線電流鉗。它擁有Fluke一貫的堅(jiān)固品質(zhì)，滿足光伏現(xiàn)場(chǎng)對(duì)運(yùn)維工具簡(jiǎn)單輕便、智能高效的要求。
2024-08-29
數(shù)字萬(wàn)用表
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當(dāng)輸入和輸出電壓接近時(shí)，為什么難以獲得穩(wěn)定的輸出電壓？
本文旨在解決DC-DC開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的功率級(jí)設(shè)計(jì)中面臨的復(fù)雜難題，重點(diǎn)關(guān)注功率晶體管和自舉電容。降壓轉(zhuǎn)換器用于演示忽視功率晶體管時(shí)序規(guī)范的影響，以及移除自舉電容時(shí)會(huì)發(fā)生什么情況。功率晶體管具有最小導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)間要求，以確保FET柵極電容正確充電和放電，從而保證晶體管完全導(dǎo)通和關(guān)斷。如果忽...
2024-08-28
輸入電壓 輸出電壓 DC-DC 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器
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在隔離RS－485節(jié)點(diǎn)中劃分隔離電源的選項(xiàng)和解決方案
要在RS-485節(jié)點(diǎn)中實(shí)現(xiàn)出色的隔離信號(hào)和電源配置，就必須要有效應(yīng)對(duì)小尺寸、低功耗、數(shù)據(jù)速率、EMI和物料成本等系統(tǒng)要求帶來(lái)的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。光耦合器等傳統(tǒng)的分立式解決方案存在失效壽命方面的問(wèn)題，而且光耦合器技術(shù)本身的物理特性決定了每通道隔離的功耗較高，業(yè)界就這些問(wèn)題已有詳細(xì)論述。
2024-08-26
RS－485節(jié)點(diǎn) 隔離電源
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