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SiC MOSFET的短溝道效應(yīng)
Si IGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 這篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比較明顯的短溝道效應(yīng)、Vth滯回效應(yīng)、短路特性以及體二極管的魯棒性。直接翻譯不免晦澀難懂，不如加入自己的理解，重新梳理一...
2023-04-24
SiC MOSFET 短溝道效應(yīng)
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超共源共柵簡史
盡管寬帶隙半導(dǎo)體已在功率開關(guān)應(yīng)用中略有小成，但在由 IGBT 占主導(dǎo)的高電壓/高功率領(lǐng)域仍未有建樹。然而，使用 SiC FET 的 “超共源共柵” 將打破現(xiàn)有局面。讓我們一起來了解超共源共柵的歷史，并探討如何將其重新用于優(yōu)化現(xiàn)代設(shè)計。
2023-04-24
超共源共柵 SiC FET Qorvo
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Auto Accessories以及BMS的保護(hù)設(shè)計
隨著汽車功能的豐富，USB2.0/3.0、電源輸入口、按鍵、SD卡槽等被廣泛應(yīng)用。由于以下幾點，ESD、突入電流、拋負(fù)載以及負(fù)載短路等成為了硬件設(shè)計人員關(guān)注要點。例如，干燥季節(jié)，靜電通過這些接口破壞IC或設(shè)備中的任何其他ESD敏感器件；設(shè)備電源的開關(guān)，汽車啟停以及人員的誤操作等產(chǎn)生的突入電流對電...
2023-04-24
Auto Accessories BMS 保護(hù)設(shè)計
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5月兩場汽車電子高峰論壇來襲 賦能汽車電子“芯”力量
汽車作為當(dāng)下最火熱的賽道，早已從初始的代步工具逐步蛻變，電子化在汽車發(fā)展史上發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，2022年我國汽車電子市場規(guī)模達(dá)到9,783億元（汽車工業(yè)協(xié)會數(shù)據(jù)）。汽車工業(yè)是國家制造業(yè)的標(biāo)桿，隨著汽車向電動化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化、共享化推進(jìn)，以人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等為首的新一代信息技術(shù)深刻...
2023-04-23
汽車電子 芯片
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并聯(lián)的二極管有哪些問題
在靜態(tài)時，由于串聯(lián)各元件的截止漏電流具有不同的制造偏差，導(dǎo)致具有漏電流的元件承受了的電壓，甚至達(dá)到擎住狀態(tài)。但只要元件具有足夠的擎住穩(wěn)定性，則無必要在線路中采用均壓電阻。只有當(dāng)截止電壓大于1200V的元件串聯(lián)時，一般來說才有必要外加一個并聯(lián)電阻。
2023-04-23
并聯(lián) 二極管
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還在為用氮化鎵設(shè)計高壓電源犯難？試試這兩個器件
面對社會和監(jiān)管要求，電源效率一直是電子系統(tǒng)的優(yōu)先事項。特別是對于從電動汽車 (EV) 到高壓通信和工業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施的應(yīng)用，電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度是設(shè)計成功的關(guān)鍵。
2023-04-23
氮化鎵 高壓電源 Nexperia
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OBC充電器中的SiC FET封裝小巧，功能強(qiáng)大
EV 車載充電器和表貼器件中的半導(dǎo)體電源開關(guān)在使用 SiC FET 時，可實現(xiàn)高達(dá)數(shù)萬瓦特的功率。我們將了解一些性能指標(biāo)。
2023-04-23
OBC充電器 SiC FET
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