小米汽車新專利獲批！可對(duì)車輛無線充電

近日，從國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局網(wǎng)獲悉，小米汽車科技有限公司申請(qǐng)的“無線充電方法、系統(tǒng)及存儲(chǔ)介質(zhì)”專利已獲得授權(quán)。

2023-09-25

搭建硬實(shí)時(shí)系統(tǒng)太難了？用它試一下！

現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列 (FPGA)、支持 Linux 的RISC-V 微控制器單元 (MCU) 子系統(tǒng)、先進(jìn)的存儲(chǔ)器架構(gòu)和高性能通信接口，是設(shè)計(jì)人員的重要工具。對(duì)于安全互聯(lián)系統(tǒng)、安全關(guān)鍵型系統(tǒng)，以及人工智能 (AI) 和機(jī)器學(xué)習(xí) (ML) 等各種硬實(shí)時(shí)確定性系統(tǒng)的設(shè)計(jì)人員，更是如此。

2023-09-25

FPGA  SoC  DigiKey

半導(dǎo)體器件擊穿機(jī)理分析及設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

在日常的電源設(shè)計(jì)中，半導(dǎo)體開關(guān)器件的雪崩能力、VDS電壓降額設(shè)計(jì)是工程師不得不面對(duì)的問題，本文旨在分析半導(dǎo)體器件擊穿原理、失效機(jī)制，以及在設(shè)計(jì)應(yīng)用中注意事項(xiàng)。

2023-09-25

半導(dǎo)體器件  擊穿機(jī)理  注意事項(xiàng)

為什么消費(fèi)類DRAM無法滿足工業(yè)應(yīng)用需求？

消費(fèi)類DRAM廣泛普及，而且往往物美價(jià)廉。然而，這些表面上的好處掩蓋了消費(fèi)類DRAM 在工業(yè)應(yīng)用中的真正危險(xiǎn)和缺陷。在本文中，我們將探討消費(fèi)類DRAM和工業(yè)DRAM之間的差異，并揭示不正確使用DRAM的風(fēng)險(xiǎn)。

2023-09-25

消費(fèi)類DRAM  工業(yè)應(yīng)用

SiC優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用及加速向脫碳方向發(fā)展

如今，大多數(shù)半導(dǎo)體都是以硅（Si）為基材料，但近年來，一個(gè)相對(duì)新的半導(dǎo)體基材料正成為頭條新聞。這種材料就是碳化硅，也稱為SiC。目前，SiC主要應(yīng)用于MOSFET和肖特基二極管等半導(dǎo)體技術(shù)。

2023-09-24

SiC  脫碳方向

MOS管系列在服務(wù)器電源上的應(yīng)用

服務(wù)器電源是指使用在服務(wù)器上的電源（POWER），它和PC電源一樣，都是一種開關(guān)電源，指能夠?qū)⒔涣麟娹D(zhuǎn)換為服務(wù)器所需直流電的電源。

2023-09-24

REASUNOS瑞森半導(dǎo)體  MOS管  服務(wù)器電源

適用于熱插拔應(yīng)用的具有導(dǎo)通電阻的高效 MOSFET

熱插拔是指將電子設(shè)備插入帶電電源；這可能會(huì)損壞相關(guān)電子設(shè)備。電容性負(fù)載可能會(huì)產(chǎn)生較大的負(fù)載電流，從而給電源、電纜組件和任何限流電路帶來壓力。此外，電纜寄生電感上的電壓變化會(huì)引起電壓尖峰，從而進(jìn)一步損壞電子設(shè)備。

2023-09-24

熱插拔應(yīng)用  導(dǎo)通電阻  MOSFET