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【測(cè)試解讀】ESD保護(hù)設(shè)計(jì)中的傳輸線(xiàn)脈沖TLP，怎么測(cè)？
隨著電子器件在汽車(chē)和其他產(chǎn)品上的應(yīng)用越來(lái)越廣泛（智能化），芯片的集成度也越來(lái)越高、體形也越來(lái)越小、研發(fā)的難度也越來(lái)越高，這些器件通常具有線(xiàn)間距短、線(xiàn)細(xì)、集成度高、運(yùn)算速度快、功耗低和高輸入阻抗的特點(diǎn)，這也導(dǎo)致了這類(lèi)器件對(duì)靜電的要求越來(lái)越高。
2024-03-27
測(cè)試 ESD保護(hù) 脈沖TLP
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數(shù)字示波器的DSO體系結(jié)構(gòu)及功能
數(shù)字存儲(chǔ)示波器（通常稱(chēng)為 DSO）是為了彌補(bǔ)模擬示波器的諸多不足而發(fā)明的。 DSO 輸入一個(gè)信號(hào)，并通過(guò)模數(shù)轉(zhuǎn)換器將其數(shù)字化。圖 顯示了是德科技數(shù)字示波器采用的一種 DSO 體系結(jié)構(gòu)。
2024-03-27
數(shù)字示波器的 DSO 體系結(jié)構(gòu)
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GaAs 二極管在高性能功率轉(zhuǎn)換中的作用
高壓硅二極管具有較低的正向傳導(dǎo)壓降，但由于其反向恢復(fù)行為，會(huì)在功率轉(zhuǎn)換器中產(chǎn)生顯著的動(dòng)態(tài)損耗。SiC 二極管表現(xiàn)出可忽略不計(jì)的反向恢復(fù)行為，但確實(shí)表現(xiàn)出比硅更高的體電容和更大的正向傳導(dǎo)壓降。由于 GaAs 技術(shù)能夠提供硅和 SiC 的有用特性，本文探討了一項(xiàng)比較 10kW、100kHz 相移全橋 (PSFB) ...
2024-03-26
GaAs 二極管 功率轉(zhuǎn)換
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為何在RF設(shè)計(jì)中理解波反射非常重要？
在低頻下工作的普通電路與針對(duì)RF頻率設(shè)計(jì)的電路之間的關(guān)鍵區(qū)別在于它們的電氣尺寸。RF設(shè)計(jì)可采用多種波長(zhǎng)的尺寸，導(dǎo)致電壓和電流的大小和相位隨元件的物理尺寸而變化。這為RF電路的設(shè)計(jì)和分析提供了一些基礎(chǔ)的核心原理特性。
2024-03-26
RF設(shè)計(jì) 波反射
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意法半導(dǎo)體突破20納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)，提升新一代微控制器的成本競(jìng)爭(zhēng)力
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼:STM)發(fā)布了一項(xiàng)基于 18 納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI) 技術(shù)并整合嵌入式相變存儲(chǔ)器 (ePCM)的先進(jìn)制造工藝，支持下一代嵌入式處理器升級(jí)進(jìn)化。這項(xiàng)新工藝技術(shù)是意法半導(dǎo)體和三星晶圓代工廠...
2024-03-26
意法半導(dǎo)體 納米技術(shù) 微控制器
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意法半導(dǎo)體2024年股東大會(huì)議案公告
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼:STM)，公布了擬在2024年5月22日荷蘭阿姆斯特丹舉行的公司年度股東大會(huì)(AGM)上審議批準(zhǔn)的議案。
2024-03-26
意法半導(dǎo)體
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集成運(yùn)放的使用
目前集成運(yùn)放的常見(jiàn)封裝方式有金屬殼封裝和雙列直插式封裝，外形如圖3.7.1 所示，以后者居多。雙列直插式有8、10、12、14、16 管腳等種類(lèi)，雖然它們的外引線(xiàn)排列日趨標(biāo)準(zhǔn)化，但各制造廠仍略有區(qū)別。因此，使用運(yùn)放前必須查閱有關(guān)手冊(cè)，辨認(rèn)管腳，以便正確連線(xiàn)。
2024-03-25
集成運(yùn)放
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