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“環(huán)抱”晶體管與“三明治”布線
今天，我們將介紹英特爾的兩項(xiàng)突破性技術(shù)：RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術(shù)。這兩項(xiàng)技術(shù)首次成功集成于Intel 20A制程節(jié)點(diǎn)，也將用于Intel 18A。
2024-09-16
晶體管
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電源效率測(cè)試
效率是電源測(cè)試中十分常見(jiàn)的測(cè)試項(xiàng)，高效的電源表現(xiàn)是眾多廠家一直追求的目標(biāo)。在芯片的規(guī)格書中，通常都會(huì)提供幾種常見(jiàn)的輸入輸出應(yīng)用下的效率曲線。當(dāng)實(shí)際的應(yīng)用范圍與規(guī)格書上不同，或者在demo板的基礎(chǔ)上我們進(jìn)行了其它改動(dòng)的時(shí)候，就需要重新進(jìn)行效率測(cè)試。
2024-09-16
電源效率
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MEMS 麥克風(fēng)中 PDM 和 I2S 數(shù)字輸出接口的比較和選擇
本文將詳細(xì)討論脈沖密度調(diào)制 (PDM) 和集成電路內(nèi)置音頻 (I2S) 兩種數(shù)字接口，簡(jiǎn)介它們的獨(dú)特特性以及在系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)的優(yōu)缺點(diǎn)。工程師具體選擇哪一種，將取決于對(duì)兩種技術(shù)的研究，并要了解哪種協(xié)議對(duì)于特定應(yīng)用更適合。
2024-09-15
MEMS 麥克風(fēng) PDM I2S 數(shù)字輸出接口
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實(shí)現(xiàn)更準(zhǔn)確圖像深度和細(xì)節(jié)的這項(xiàng)“黑科技”，值得了解！
準(zhǔn)確的圖像深度和細(xì)節(jié)對(duì)于安保攝像頭、人臉識(shí)別設(shè)備和機(jī)器視覺(jué)設(shè)備至關(guān)重要，可以提供更真實(shí)且高保真的觀看體驗(yàn)。為在具體應(yīng)用中達(dá)到這一效果，需要具備某些圖像傳感器功能，其中之一就是自適應(yīng)局部色調(diào)映射 (ALTM)。
2024-09-15
圖像 黑科技 圖像傳感器
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基于大數(shù)據(jù)與深度學(xué)習(xí)的穿戴式運(yùn)動(dòng)心率算法
在數(shù)字化與智能化技術(shù)迅猛發(fā)展的背景下，智能手表、智能戒指等穿戴式設(shè)備已悄然改變我們的日常生活，尤其在健康管理和運(yùn)動(dòng)表現(xiàn)優(yōu)化方面取得了顯著的成就。借助這些智能設(shè)備，監(jiān)測(cè)運(yùn)動(dòng)心率成為提升個(gè)人健身和運(yùn)動(dòng)性能的關(guān)鍵手段。
2024-09-15
大數(shù)據(jù) 穿戴式 運(yùn)動(dòng)心率算法
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用于測(cè)試汽車逆變器的主動(dòng)電機(jī)仿真
作為電池模擬器，可以使用標(biāo)準(zhǔn)電源。通過(guò)適當(dāng)控制電機(jī)模擬器，相電流通過(guò)相線圈從 DUT 流向模擬器，并通過(guò) DC-Link 流回 DUT，反之亦然。因此，DC-Link受到實(shí)際電流的壓力，但由于能量在兩個(gè)逆變器之間流動(dòng)，因此電池模擬只需為整個(gè)系統(tǒng)的損耗提供能量。這是重要的好處之一：可以使用相對(duì)較小的電源...
2024-09-15
汽車逆變器 測(cè)試 電機(jī)仿真
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電氣負(fù)載模擬器
電氣負(fù)載仿真的概念涉及控制電力電子轉(zhuǎn)換器，使其行為類似于實(shí)際電氣負(fù)載。例如，電壓源逆變器 (VSI) 可以仿真感應(yīng)電機(jī)。在不同情況下，負(fù)載仿真器的使用至關(guān)重要。它有助于分析在各種負(fù)載條件和環(huán)境下將多臺(tái)機(jī)器連接到電網(wǎng)的可行性。的部分是，這可以在沒(méi)有任何機(jī)電機(jī)械的情況下完成。負(fù)載仿真器可...
2024-09-15
電氣 負(fù)載模擬器
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