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魚與熊掌皆可得？當(dāng)SiC MOSFET遇上2L-SRC
事物皆有兩面：SiC MOSFET以更快的開關(guān)速度，相比IGBT可明顯降低器件開關(guān)損耗，提升系統(tǒng)效率和功率密度；但是高速的開關(guān)切換，也產(chǎn)生了更大的dv/dt和di/dt，對一些電機控制領(lǐng)域的電機絕緣和EMI設(shè)計都帶來了額外的挑戰(zhàn)。
2022-06-07
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IGBT窄脈沖現(xiàn)象解讀
IGBT作為一種功率開關(guān)，從門級信號到器件開關(guān)過程需要一定反應(yīng)時間，就像生活中開關(guān)門太快容易擠壓手一樣，過短的開通脈沖可能會引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。這種現(xiàn)象隨著IGBT被高頻PWM調(diào)制信號驅(qū)動時，時常會無奈發(fā)生，占空比越小越容易輸出窄脈沖，且IGBT反并聯(lián)續(xù)流二極管FWD在硬開關(guān)續(xù)流時反向恢復(fù)特性也會變快。
2022-06-03
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如何計算驅(qū)動芯片的desat保護(hù)時間
SiC MOSFET短路時間相比IGBT短很多，英飛凌CoolSiC? MOSFET單管保證3us的短路時間，Easy模塊保證2us的短路時間，因此要求驅(qū)動電路和的短路響應(yīng)迅速而精確。今天，我們來具體看一下這個短而精的程度。
2022-06-02
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汽車級IGBT/SiC模塊驅(qū)動器應(yīng)該怎么用？首款唯一車硅認(rèn)證柵極驅(qū)動板簡化設(shè)計
就在德國紐倫堡PCIM Europe展會的最后一天，Power Integrations（PI）在線上舉辦新品溝通會，PI資深技術(shù)培訓(xùn)經(jīng)理Jason Yan講解了一個汽車級IGBT/SiC（碳化硅）模塊驅(qū)動器系列產(chǎn)品——適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM EV系列柵極驅(qū)動板。
2022-06-02
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Tvj - IGBT元宇宙中的結(jié)溫
在IGBT應(yīng)用中，結(jié)溫是經(jīng)常使用的一個參數(shù)，大部分讀者應(yīng)該都很熟悉這個概念，但是這和元宇宙有什么關(guān)系呢？
2022-05-25
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IGBT門極驅(qū)動到底要不要負(fù)壓
先說結(jié)論，如果條件允許還是很建議使用負(fù)壓作為IGBT關(guān)斷的。但是從成本和設(shè)計的復(fù)雜度來說，很多工程師客戶希望不要使用負(fù)壓。下面我們從門極寄生導(dǎo)通現(xiàn)象來看這個問題。
2022-05-23
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挑選一款合適的汽車級IGBT模塊： 解讀國內(nèi)首部車用IGBT標(biāo)準(zhǔn)
隨著新能源汽車行業(yè)的蓬勃發(fā)展，越來越多的IGBT產(chǎn)品應(yīng)運而生。汽車零部件時常暴露在惡劣的氣候條件下，因此必須保證汽車級產(chǎn)品在高溫、高濕、高壓條件下可靠運行。如何選擇合適的汽車級半導(dǎo)體器件，對于Tier1和OEM的產(chǎn)品可靠性及其成本至關(guān)重要。本文將從汽車行業(yè)的IGBT模塊環(huán)境試驗的要求出發(fā)，介紹汽車級功率半導(dǎo)體器件IGBT模塊需要滿足的條件。
2022-05-09
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東芝低功耗IGBT持續(xù)助力家電市場
IGBT因其優(yōu)異的電氣屬性和性價比在業(yè)界被廣泛應(yīng)用，特別是在工業(yè)控制領(lǐng)域幾乎隨處可見IGBT的身影。作為功率半導(dǎo)體的家族分支，不僅融合了BJT和MOSFET的優(yōu)點，還進(jìn)一步提升了控制速度和精度，同時具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點。而今天要給大家介紹的是由東芝半導(dǎo)體新研發(fā)的具備低功耗節(jié)能屬性的IGBT器件——GT30N135SRA，其有助于家電產(chǎn)品能耗進(jìn)一步降低。
2022-04-30
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IGBT驅(qū)動電流行為綜述
】IGBT是一種電壓驅(qū)動的電子開關(guān)，正常情況下只要給15V電壓就可以飽和導(dǎo)通，實際器件的驅(qū)動是給柵極端口電容充放電，還是需要電流的。IGBT驅(qū)動電流峰值電流取決于柵極總電阻，電流取決于柵極電荷，但我們一般講的是峰值電流。
2022-04-30
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多功能預(yù)驅(qū)動器，為中高電流驅(qū)動器提供全方位保護(hù)
關(guān)于IGBT／MOSFET預(yù)驅(qū)動器，相信做電機驅(qū)動或者大功率設(shè)備驅(qū)動的工程師都會有所了解，所謂預(yù)驅(qū)動器，其實就是將微控制器與IGBT／MOSFET隔離開來，為負(fù)載及驅(qū)動器提供保護(hù)，并為微控制器（MCU）提供診斷信息。這種預(yù)驅(qū)動器一般會使用運放，MOS或者三極管等搭建，在實現(xiàn)保護(hù)驅(qū)動器和微控制器的前提之下，還實現(xiàn)了將MOSFET的漏極-源極電壓（VDS）與基準(zhǔn)電壓做比較，實現(xiàn)狀態(tài)診斷；那么大家知道光耦其實還可以做IGBT／MOSFET的預(yù)驅(qū)動器么？東芝針對IGBT／MOSFET產(chǎn)品以及光耦應(yīng)用技術(shù)深耕多年，這款針對中高電流IGBT／MOSFET的預(yù)驅(qū)動器——TLP5231，就是東芝半導(dǎo)體系列產(chǎn)品線的補充和完善。
2022-04-27
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如何正確理解功率循環(huán)曲線
近年來IGBT的可靠性問題一直受到行業(yè)的廣泛關(guān)注，特別是風(fēng)力發(fā)電、軌道交通等應(yīng)用領(lǐng)域。IGBT的可靠性通常用以芯片結(jié)溫變化為衡量目標(biāo)的功率循環(huán)曲線和基板溫度變化為衡量目標(biāo)的溫度循環(huán)曲線來評估。引起IGBT可靠性問題的原因主要是IGBT是由多種膨脹系數(shù)不同的材料焊接在一起，工作過程中溫度的變化會引起結(jié)合點的老化，以及綁定線在工作過程中熱脹冷縮；另外綁定線的成分，綁定工具的形狀、綁定參數(shù)以及芯片的金屬化焊接等因素都會影響IGBT的可靠性。
2022-04-20
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圖騰柱無橋PFC中混合碳化硅分立器件的應(yīng)用
現(xiàn)代尖端電力電子設(shè)備性能升級需要提升系統(tǒng)功率密度、使用更高的主開關(guān)頻率。而現(xiàn)有硅基IGBT配合硅基FRD性能已無法完全滿足要求，需要高性能與性價比兼具的主開關(guān)器件。為此，基本半導(dǎo)體推出的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合，為硬開關(guān)拓?fù)浯蛟炝艘粋€兼顧品質(zhì)和性價比的完美方案。
2022-04-01
- 國產(chǎn)芯片與系統(tǒng)深度融合！兆易創(chuàng)新聯(lián)袂普華軟件破局汽車電子
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