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如何最大程度降低開關(guān)電源中的寄生參數(shù)
開關(guān)模式電源（開關(guān)電源）因其高效性和靈活性而廣受歡迎。但它們也帶來了挑戰(zhàn)，因為其應(yīng)用已經(jīng)延伸到新的領(lǐng)域。最明顯的是，其高頻切換會對系統(tǒng)的其他部分產(chǎn)生電磁干擾 (EMI)。此外，導(dǎo)致 EMI 的因素同樣也會降低效率，從而削弱開關(guān)電源關(guān)鍵的能效優(yōu)勢。
2024-03-20
開關(guān)電源 寄生參數(shù)
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雙脈沖測試（DPT）的方法解析
雙脈沖測試（DPT）是一種被廣泛接受的評估功率器件動態(tài)特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應(yīng)用為例，如下圖，通過調(diào)節(jié)直流母線電壓和第一個脈沖持續(xù)時間，可以在第一個脈沖結(jié)束和第二個脈沖開始時捕捉到被測器件在任何所需的電壓和電流條件下的開關(guān)瞬態(tài)行為。
2024-03-19
雙脈沖測試
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為什么采用聚合物鋁電解電容器可以解決電源設(shè)計的痛點？
在設(shè)計 USB 電源以及電子系統(tǒng)和子系統(tǒng)（包括 IC、特定應(yīng)用 IC (ASIC)、中央處理器 (CPU) 和現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA)）的功率輸送解決方案時，設(shè)計人員會不斷尋找方法來提高效率，同時確保以緊湊的外形尺寸在寬溫度范圍內(nèi)提供穩(wěn)定、無噪聲的功率。他們需要提高效率、穩(wěn)定性和可靠性，降低成本，并縮...
2024-03-15
聚合物鋁電解電容器 電源設(shè)計
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意法半導(dǎo)體被評為2024年全球百強創(chuàng)新企業(yè)
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)榮登2024年全球百強創(chuàng)新機構(gòu)榜單(Top 100 Global Innovators? 2024)。該榜單是全球排名前列的信息服務(wù)公司科睿唯安（Clarivate?）發(fā)布的年度世界組織機構(gòu)創(chuàng)新能力排行榜，上榜機構(gòu)須在...
2024-03-15
意法半導(dǎo)體
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DC／DC 轉(zhuǎn)換器：提供負(fù)電壓的器件
反相轉(zhuǎn)換器的主要目的是在輸出端提供負(fù)電壓。除了此功能之外，極性反轉(zhuǎn)拓?fù)鋵τ跒樨?fù)載供電非常有用，與系統(tǒng)接地的極性無關(guān)，但由可能高于或低于輸出電壓的輸入電壓供電[1]。反相拓?fù)渫ǔＪ褂脝蝹€電感器，不需要任何耦合電容器 [2]。這導(dǎo)致使用更少的組件來實現(xiàn)反相拓?fù)洹?/p>
2024-03-14
DC／DC 轉(zhuǎn)換器 負(fù)電壓
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優(yōu)化開關(guān)模式電源的 EMI 輸入濾波器
任何開關(guān)模式電源 (SMPS)都需要EMI（電磁干擾）輸入濾波器，以避免對電源線造成干擾，以及對連接到電源線的其他組件或系統(tǒng)產(chǎn)生干擾。因此，設(shè)計和優(yōu)化輸入濾波器是 SMPS 開發(fā)的一項重要任務(wù)。雖然必須添加共模和差模噪聲濾波器元件，但很少單獨優(yōu)化它們。特別是對于高功率應(yīng)用，這可能會導(dǎo)致 EMI 濾...
2024-03-13
開關(guān)模式電源 EMI 濾波器
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如何測量功率回路中的雜散電感
影響IGBT和SiC MOSFET在系統(tǒng)中的動態(tài)特性有兩個非常重要的參數(shù)：寄生電感和寄生電容。而本文主要介紹功率回路中寄生電感的定義和測試方法，包括直流母線電容的寄生電感，直流母排寄生電感以及模塊本身的寄生電感。
2024-03-12
功率回路 電感
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如何針對工業(yè)應(yīng)用改造螺線管和步進電機驅(qū)動器
工廠車間控制系統(tǒng)、汽車和實驗室設(shè)備等邊緣設(shè)備應(yīng)用越來越多地利用物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 和人工智能 (AI) 功能，以實現(xiàn)低延遲決策、更強性能、更低成本以及更高的安全性和生產(chǎn)力。螺線管和步進電機的驅(qū)動器需要與時俱進，加入更多板載傳感和智能功能，以便集成到快速發(fā)展的新環(huán)境中，進一步改善精度、可靠性...
2024-03-11
螺線管 步進電機驅(qū)動器 工業(yè)應(yīng)用
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下一代隔離式Σ-Δ調(diào)制器如何改進系統(tǒng)級電流測量
隔離調(diào)制器廣泛用于需要高精度電流測量和電流隔離的電機/逆變器。隨著電機/逆變器系統(tǒng)向高集成度和高效率轉(zhuǎn)變，SiC和GaN FET由于具有更小尺寸、更高開關(guān)頻率和更低發(fā)熱量的優(yōu)勢，而開始取代MOSFET和IGBT。然而，隔離器件需要具有高CMTI能力，另外還需要更高精度的電流測量。下一代隔離調(diào)制器大大提...
2024-03-11
隔離式Σ-Δ調(diào)制器 電流測量
- 從噪聲抑制到功耗優(yōu)化：CTSD如何重塑現(xiàn)代信號鏈架構(gòu)
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