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Nordic nRF5 SDK與Softdevice深度解析：開發(fā)BLE應用的底層邏輯與避坑指南
在BLE（藍牙低功耗）應用開發(fā)領域，Nordic的nRF5系列芯片（如nRF51、nRF52）因其低功耗、高集成度的特性，成為開發(fā)者的首選。而支撐這些芯片運行的“底層基石”，正是nRF5 SDK（軟件開發(fā)工具包）與Softdevice（藍牙協(xié)議棧）。然而，很多開發(fā)者對兩者的關系、版本選擇及目錄結構存在困惑——比如，SDK是“...
2025-08-20
Nordic nRF5 SDK｜Softdevice｜BLE開發(fā)｜版本選擇｜目錄結構
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VW-102A振弦讀數儀接線誤區(qū)揭秘：錯接不會燒傳感器，但這些風險更致命
在巖土工程安全監(jiān)測中，VW-102A型振弦讀數儀是連接振弦式傳感器（如應變計、滲壓計）與監(jiān)測數據的“橋梁”。不少監(jiān)測人員都有過這樣的擔憂：萬一接線時夾錯了顏色，會不會把昂貴的傳感器燒壞？結合VW-102A的設備特性與實際監(jiān)測經驗，我們可以明確：接線錯誤不會直接物理損壞傳感器，但隱藏的風險可能...
2025-08-20
VW-102A振弦讀數儀｜接線錯誤｜振弦式傳感器｜監(jiān)測數據異常｜巖土工程安全監(jiān)測
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塑封工藝：微電子封裝的“保護鎧甲”與“成型魔術師”
在智能手機、電腦、服務器等電子設備的核心部件中，芯片無疑是“大腦”，但這個“大腦”卻異常脆弱——微小的灰塵、潮濕的空氣、輕微的機械沖擊都可能導致其失效。為了讓芯片“堅不可摧”，塑封工藝應運而生，它就像給芯片穿上一層“保護鎧甲”，不僅能隔絕外界環(huán)境的損害，還能提高芯片的機械強度，便于后續(xù)...
2025-08-20
塑封工藝｜微電子封裝｜環(huán)氧模塑料｜轉移成型｜錫須抑制
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KiCad膠水層揭秘：SMT紅膠工藝的“隱形固定師”
在KiCad這款開源PCB設計軟件的圖層列表中，有兩層常常被新手當作“無關緊要的標記層”——F.Adhesive（正面膠水層）和B.Adhesive（背面膠水層）。但對SMT（表面貼裝技術）生產線上的工程師來說，這兩層卻是“隱形的固定師”：它們標注的位置，直接決定了紅膠如何點涂，進而確保SMD（表面貼裝器件）元件在...
2025-08-20
KiCad膠水層｜SMT紅膠工藝｜SMD元件固定｜回流焊｜電子制造
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萬億賽道加速器：106屆上海電子展驅動替代+智造雙升級
黃浦江畔吹響科技集結號！ 2025年11月5-7日，第106屆中國電子展將在上海新國際博覽中心點燃創(chuàng)新引擎。本屆以"筑基·攻堅·躍遷"為軸線，聚焦半導體產業(yè)鏈自主攻關、高端制造裝備國產替代、車規(guī)級芯片落地驗證三大攻堅戰(zhàn)場?，F(xiàn)場將首發(fā)展示12英寸晶圓產線核心部件、RISC-V生態(tài)成果、軍工電子轉化技術等...
2025-08-20
中國電子展2025｜上海半導體展會｜國產芯片替代｜智能汽車技術展｜軍工電子技術
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天璣9500芯片信息曝光：AI算力翻倍，全面進化
有爆料稱，聯(lián)發(fā)科天璣9500采用全新NPU IP架構，相較前代AI性能提升達100%。這意味著端側AI體驗像電梯直達頂層，響應更快、吞吐更高，可運行更大規(guī)模模型，生成超清圖、視頻創(chuàng)作更從容。
2025-08-20
天璣9500
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Wi-Fi 8來了：放下“速度執(zhí)念”，要給你“穩(wěn)如有線”的網絡體驗
2028年的某個周末，你戴著AR眼鏡走進市中心的大型商場。鏡片里實時疊加著商品信息——路過美妝區(qū)，AR試色同步顯示在鏡片上；走到餐飲層，智能菜單直接投射到你眼前。這一切都依賴于商場里的Wi-Fi 8網絡：即使上千人同時使用，你的AR畫面依然流暢，沒有一絲延遲；從一樓走到三樓，網絡漫游無縫銜接，不...
2025-08-19
Wi-Fi 8 穩(wěn)定性 低延遲 協(xié)同技術 物聯(lián)網
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千家萬戶沐光背后的“電流守護者”：AN3V傳感器如何為分布式光伏撐起安全傘？
清晨的陽光灑在農村屋頂的光伏板上，老王看著手機里的發(fā)電數據笑開了花——這是“千家萬戶沐光行動”實施后，村里第23戶安裝分布式光伏的家庭。然而，當越來越多的屋頂“穿”上光伏“外衣”，隱藏在陽光背后的隱患也逐漸浮現(xiàn)：線路老化引發(fā)的火災風險、陰影遮擋導致的電流波動、并網時的電流穩(wěn)定性問題……這...
2025-08-19
分布式光伏 AN3V電流傳感器 安全運維 穩(wěn)定并網 MPPT控制
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工業(yè)充電器能效革命：碳化硅技術選型與拓撲優(yōu)化實戰(zhàn)
隨著800V高壓平臺在電動汽車與工業(yè)儲能領域加速滲透，傳統(tǒng)硅基功率器件正面臨開關損耗與散熱設計的雙重瓶頸。以碳化硅（SiC）MOSFET為代表的新型半導體，憑借10倍于IGBT的開關頻率和85%的能效提升率，正推動工業(yè)充電器架構向高頻化、集成化躍遷。本文深度解析SiC技術賦能的拓撲結構選型策略，揭曉如...
2025-08-19
碳化硅工業(yè)充電器 拓撲結構選型 SiC MOSFET應用 功率密度優(yōu)化 LLC諧振電路
- 安森美與舍弗勒強強聯(lián)手，EliteSiC技術驅動新一代PHEV平臺
- 安森美與英偉達強強聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數據中心能效升級
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