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晶體管的第一個(gè)76年：變小了，卻變大了？
1947年，當(dāng)John Bardeen、Walter Brattain和William Shockley成功制造出了世界上第一個(gè)能正常工作的晶體管時(shí)，他們未曾想到，晶體管如今會(huì)成為電子產(chǎn)品的最重要組成部分。晶體管被譽(yù)為20世紀(jì)最偉大的發(fā)明之一，它改進(jìn)了真空管在功耗和尺寸方面的缺陷，為電子設(shè)備的發(fā)展奠定了基礎(chǔ)，也為人們帶來(lái)了便...
2023-06-21
晶體管
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PN結(jié)的基礎(chǔ)知識(shí)
本身他們的作用都很小，通俗一點(diǎn)講就是中性的，但是當(dāng)這2種材料結(jié)合在一起的時(shí)候，就會(huì)變得神奇，他們的行為方式會(huì)非常的不同，就會(huì)產(chǎn)生“PN 結(jié)”的東西。
2023-06-21
PN結(jié)
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了解瞬態(tài)熱阻抗背后的理論
瞬態(tài)熱阻抗用于衡量器件被施加脈沖功率時(shí)的表現(xiàn)，它決定了器件在低占空比和低頻脈沖負(fù)載下的表現(xiàn)方式，因此非常重要。
2023-06-21
瞬態(tài)熱阻抗 PCB 脈沖功率
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并聯(lián)電阻器在電路中的應(yīng)用
這種倒數(shù)計(jì)算方法可用于計(jì)算在單個(gè)并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)中連接在一起的任意數(shù)量的單個(gè)電阻。然而，如果只有兩個(gè)并聯(lián)的獨(dú)立電阻器，那么我們可以使用更簡(jiǎn)單、更快捷的公式來(lái)計(jì)算總電阻值或等效電阻值 R T ，并有助于稍微減少數(shù)學(xué)倒數(shù)。
2023-06-20
并聯(lián)電阻器 電路應(yīng)用
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用開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)您自己的DC-DC轉(zhuǎn)換器
通過(guò)使用開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，可以顯著抑制電路的發(fā)熱量，不僅更節(jié)能，還可以減小散熱器尺寸，從而能夠減小電路規(guī)模并設(shè)計(jì)出低發(fā)熱的電源電路。
2023-06-20
開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC-DC轉(zhuǎn)換器
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利用先進(jìn)形式驗(yàn)證工具來(lái)高效完成RISC－V處理器驗(yàn)證
RISC-V的開(kāi)放性允許定制和擴(kuò)展基于RISC-V內(nèi)核的架構(gòu)和微架構(gòu)，以滿(mǎn)足特定需求。這種對(duì)設(shè)計(jì)自由的渴望也正在將驗(yàn)證部分的職責(zé)轉(zhuǎn)移到不斷壯大的開(kāi)發(fā)人員社群。然而，隨著越來(lái)越多的企業(yè)和開(kāi)發(fā)人員轉(zhuǎn)型RISC-V，大家才發(fā)現(xiàn)處理器驗(yàn)證絕非易事。新標(biāo)準(zhǔn)由于其新穎和靈活性而帶來(lái)的新功能會(huì)在無(wú)意中產(chǎn)生規(guī)...
2023-06-16
驗(yàn)證工具 RISC－V處理器 驗(yàn)證
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為什么所有的SiC肖特基二極管都不一樣
在高功率應(yīng)用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優(yōu)于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開(kāi)關(guān)性能。但是，與硅快速恢復(fù)二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia（安世半導(dǎo)體）如何將先進(jìn)的器件結(jié)構(gòu)與創(chuàng)新工藝技術(shù)結(jié)合在一起，以進(jìn)一步提高 SiC 肖特基二極管的性能。
2023-06-16
SiC 肖特基二極管
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如何在電壓不穩(wěn)的情況下保障SSD的穩(wěn)定性能？
不穩(wěn)定的電源是遠(yuǎn)程和極端環(huán)境中設(shè)備面臨的常見(jiàn)挑戰(zhàn)，這可能會(huì)嚴(yán)重影響固態(tài)驅(qū)動(dòng)器（SSD）的操作。啟動(dòng)和關(guān)閉過(guò)程中的不穩(wěn)定電源，可能會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)崩潰和系統(tǒng)重啟等問(wèn)題。
2023-06-16
電壓 SSD 穩(wěn)定性能
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自加熱Vbe 晶體管恒溫器無(wú)需校準(zhǔn)
一種明顯的替代方法是使用晶體管 Vbe tempco 進(jìn)行溫度自檢測(cè)，由于其明顯的簡(jiǎn)單性而很有吸引力，但在實(shí)踐中，它的實(shí)用性受到不可預(yù)測(cè)的晶體管 Vbe 可變性的限制。在參考文獻(xiàn) 1 中，的模擬大師 Jim Williams 解釋了這個(gè)問(wèn)題如何需要初始傳感器晶體管校準(zhǔn)（如果傳感器需要更換，則需要重新校準(zhǔn)）。
2023-06-16
自加熱Vbe 晶體管恒溫器
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