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國內鍺基MOS器件的研究進展
對于高性能的MOS器件而言，良好的界面對于提升MOS器件的遷移率非常重要，由于high-k/Ge的界面穩(wěn)定性較差，在界面處存在的大量的缺陷形成載流子的散射中心，阻礙了高遷移率的獲得，進而嚴重影響器件的最終性能。本文講述了中國科學院微電子研究所在這一方面研究上的顯著進展。
2012-10-31
鍺基 MOS
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國內首款異質結背接觸(HIT-IBC)高端太陽能電池
近日，中國科學院微電子研究所賈銳研究員帶領的高效太陽能電池研究團隊成功研制出國內首款異質結背接觸原型太陽能電池（2cm×2cm），基于n型4英寸晶圓(p型襯底采用了不同的技術方案)，通過傳統(tǒng)電池工藝如絲網印刷、PECVD沉積，并在必要步驟采用微電子光刻工藝輔助完成的。
2012-10-31
異質結背接觸 HIT-IBC 太陽能 電池
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可作為太赫茲倍頻器核心元件的肖特基二極管器件和石英電路
中國科學院微電子研究所微波器件與集成電路研究室太赫茲器件研究組研制出截止頻率達到3.37THz的太赫茲肖特基二極管和應用于太赫茲頻段的石英電路，可作為太赫茲倍頻器核心元件，經中電集團41所驗證，性能與國際同類產品相當。
2012-10-31
太赫茲 肖特基二極管 石英電路
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硅谷數模SlimPort接口技術被Google Nexus 4手機采用
SlimPort和CoolHD技術滿足了在不犧牲手持設備體積或電池壽命的條件下將智能手機等移動設備連接到任何高清顯示設備的需求，實現(xiàn)了音頻/視頻與大屏幕的連接。SlimPort技術通過一個簡單的Micro USB到HDMI線纜附件即可將連接高清顯示設備，SlimPort發(fā)送器配合節(jié)能的硅谷數模CoolHD技術，完全不消耗手持...
2012-10-31
SlimPort 接口技術 智能手機
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麥瑞推出工作電流消耗僅為2.5毫安的低噪聲放大器
麥瑞半導體公司今天宣布推出帶有低功耗休眠模式的100MHz至1000MHz低噪聲放大器（LNA）MICRF300，面向100MHz至1000MHz頻率范圍的無鑰匙進入（RKE）、車庫門遙控開關（GDO）和自動抄表（AMR）等低功耗、低數據傳輸率應用。
2012-10-31
麥瑞 低噪聲 放大器
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眾多專家會診新一代電子產品的雷電浪涌保護難題
新一代電子產品都在向小型化、集成化發(fā)展，自然成本也高，對于電子產品的保護就顯得尤為重要，如果你想獲得最前沿、最有效的雷電浪涌防護方案，不妨看看來自Bourns、AEM、歐神防雷、君耀電子、檳城電子以及深波電子的專家在第十三屆電路保護與電磁兼容技術研討會上講解了哪些解決方案與設計訣竅。
2012-10-31
電路保護 電磁兼容 雷電浪涌
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NXP推出集成功率因數校正的半橋諧振控制器
恩智浦半導體日前宣布推出 SSL4120，這是一款集成功率因數校正 (PFC) 的 GreenChip 半橋諧振控制器，可支持最高達400W的高功率 LED 應用。單芯片 SSL4120 是一款高效解決方案，用于高功率 LED 應用，例如辦公照明、商場照明、高棚和低棚照明、停車場照明、廣場照明和街道照明。
2012-10-30
NXP 控制器 LED
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JDI推耗電量僅3mW的反射型液晶面板
日本顯示器公司開發(fā)出了顯示靜止圖片時的耗電量僅為3mW的反射型液晶面板。屏幕尺寸為7.03英寸，適用于要求低耗電量的移動產品。
2012-10-30
液晶面板 面板 日本顯示器
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面板受技術限制，獲利難
拓墣產業(yè)研究所表示，在政策支持下，于2009至2011年大力投建多條a-SiTFT面板產線，如今到了收割季節(jié)，受外資止步與大陸產能大量開出影響，面板市占率持續(xù)大幅提升，從2011年的6%到2012年的9.9%，預料2013年將超越日本達13.2%，2014年更逼近20%。
2012-10-30
面板 京東方 華星光電
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