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VAR：Vishay 新型超高精度、高分辯率 Z 箔音頻電阻
日前，Vishay宣布推出新型超高精度 Z 箔音頻電阻，該電阻采取特殊設(shè)計，可增加信號清晰度。當溫度范圍在 -55°C 至 +125°C 時，該器件具有 ±0.2 ppm/°C 的超低典型 TCR、在額定功率時 5ppm 的出色PCR（自身散熱產(chǎn)生的 ?R）、0.01% 的絕對容差且電流噪聲小于 -40dB。
2008-05-07
VAR Z 箔音頻電阻
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NBXxxxx：安森美高性能單頻和雙頻晶體振蕩器模塊
安森美半導(dǎo)體擴充了高性能時鐘和數(shù)據(jù)管理產(chǎn)品系列，推出九款基于鎖相環(huán)(PLL)的新PureEdge時鐘模塊，替代晶體振蕩器(XO)。NBXxxxx系列非常適用于高速網(wǎng)絡(luò)、電信和高端計算應(yīng)用。
2008-05-07
PLL PureEdge NBXxxxx 通信應(yīng)用 振蕩器
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《電子元件技術(shù)網(wǎng)互動精彩回放》有獎小測驗獲獎名單
《電子元件技術(shù)網(wǎng)互動精彩回放》有獎小測驗獲獎名單
2008-05-06
《電子元件技術(shù)網(wǎng)互動精彩回放》有獎小測驗獲獎名單
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Vishay榮獲EE Times評選的模擬集成電路類年度最佳產(chǎn)品獎
日前，Vishay宣布，該公司的SiP12510 和SiP12511白色LED驅(qū)動器榮獲2008年EE Times評選的年度電子產(chǎn)品創(chuàng)新 (ACE) 獎項中的模擬集成電路類最佳產(chǎn)品獎。ACE 獎褒獎電子工程業(yè)最具創(chuàng)新的公司及突破性技術(shù)。
2008-05-06
SiP12510 SiP12511 LED驅(qū)動器
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STW55NM60ND：意法半導(dǎo)體快速恢復(fù)MOSFET產(chǎn)品
意法半導(dǎo)體推出快速恢復(fù)MOSFET晶體管新產(chǎn)品系列，用于包括再生能源控制器在內(nèi)的以能效為中心的應(yīng)用需求。新產(chǎn)品在現(xiàn)有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上提高了開關(guān)性能，同時還使導(dǎo)通電阻實現(xiàn)超過18%的降幅。
2008-05-06
STW55NM60ND MOSFET 場效應(yīng)管
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ASMT-FJ30：安華高數(shù)碼相機應(yīng)用超薄自動對焦LED產(chǎn)品
Avago宣布推出一款新小型化自動對焦發(fā)光二極管(LED)產(chǎn)品，適合超薄型數(shù)碼相機和照相手機設(shè)計。安華高的ASMT-FJ30可以在幫助數(shù)碼相機和照相手機設(shè)計工程師進一步縮減應(yīng)用厚度上扮演關(guān)鍵的角色，ASMT-FJ30非常適合需要長距離照明以及窄角度發(fā)光模式的相機應(yīng)用上做為自動對焦輔助閃光燈使用。
2008-05-06
發(fā)光二極管 LED ASMT-FJ30 照相應(yīng)用
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電子元件技術(shù)網(wǎng)有獎小測驗第二期
電子元件技術(shù)網(wǎng)有獎小測驗第二期
2008-05-05
電子元件技術(shù)網(wǎng)有獎小測驗第二期
- 安森美與舍弗勒強強聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動新一代PHEV平臺
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