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技術(shù)文章

DisplayPort規(guī)格的升級(jí)版2009年中期將面世

顯示器相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)化團(tuán)體VESA（Video Electronics Standards Association，視頻電子標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì)）制定的數(shù)字接口規(guī)格“DisplayPort”的升級(jí)版“v1.2”，將于2009年中期確定技術(shù)指標(biāo)。VESA在面向媒體的發(fā)布會(huì)上介紹了升級(jí)版的方向?，F(xiàn)行規(guī)格為“v1.1a”。

2009-01-19

VESA 視頻電子標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì) 數(shù)字接口規(guī)格 DisplayPort v1.2 v1.1a

電子電路產(chǎn)業(yè)穩(wěn)中有升、面臨轉(zhuǎn)型

中國(guó)電子電路產(chǎn)業(yè)將進(jìn)入重新調(diào)整布局的新時(shí)代，產(chǎn)品技術(shù)含量越來(lái)越高，企業(yè)具有更多的自主研發(fā)、自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的項(xiàng)目，管理水平全面提升，企業(yè)效益不斷增長(zhǎng)，三廢治理逐步達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。中國(guó)將迎來(lái)PCB業(yè)強(qiáng)盛的新時(shí)代。中國(guó)電子電路行業(yè)盡管這五六年有些起伏，但是近30年來(lái)總體上保持持續(xù)高...

2009-01-19

PCB 覆銅箔板 RoHS UL HDI 印制電路板 CCL 深南電路

多晶硅量子效應(yīng)及其對(duì)MOSFET閾值電壓的影響

根據(jù)載流子分布曲線近似，通過(guò)求解泊松方程，得到了多晶硅中電場(chǎng)及其電勢(shì)的分布，計(jì)算了在不同摻雜濃度下多晶硅量子效應(yīng)所引起的MOSFET閾值電壓的偏移，并與數(shù)值模擬的結(jié)果進(jìn)行了比較，表明其具有較好的準(zhǔn)確性

2009-01-17

多晶硅量子 MOSFET 閾值電壓

北電陷入財(cái)務(wù)危機(jī) 美加兩地申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)

北電陷入財(cái)務(wù)危機(jī)，負(fù)債高達(dá)45億美元，近日在加拿大和美國(guó)同時(shí)申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)。加政府愿意提供2400萬(wàn)美元的短期融資幫助北電重組。

2009-01-16

北電破產(chǎn)保護(hù)

北電破產(chǎn)源于核心業(yè)務(wù)丟失

通信世界總編楊海峰表示，北電申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)很好理解，在經(jīng)濟(jì)寒冬中，不斷丟失核心業(yè)務(wù)的企業(yè)，申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)是符合產(chǎn)業(yè)發(fā)展的趨勢(shì)。

2009-01-16

3G WiMAX 以太網(wǎng) 通信破產(chǎn)

FCI收購(gòu)IMPLO Technologies公司

法國(guó)FCI日前收購(gòu)了面向電力市場(chǎng)的內(nèi)爆(implosive)連接器產(chǎn)品開發(fā)商——IMPLO Technologies公司，這項(xiàng)收購(gòu)將使FCI能夠把IMPLO開發(fā)的技術(shù)用于其為電力傳輸連接應(yīng)用提供的產(chǎn)品。

2009-01-16

FCI內(nèi)爆技術(shù) 電力應(yīng)用

VSLB3940：Vishay新型高性能3mm紅外發(fā)射器

日前，Vishay宣布推出 3mm (T1) 紅外發(fā)射器 --- VSLB3940，拓展了其光電產(chǎn)品系列，且這些新器件的性能特征與領(lǐng)先的 5mm 發(fā)射器相當(dāng)。

2009-01-16

VSLB3940 光電器件紅外發(fā)射器便攜應(yīng)用 LED TSAL6200

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