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2023廈門國際半導體及集成電路博覽會邀請函
國內(nèi)半導體的銷售占了全球的 1/3，是份額最大的，相當于美國、歐盟及日本的總和，不過這主要是因為中國是全球制造的中心，尤其是電腦、手機產(chǎn)量第一，消耗了最多的芯片。隨著人工智能的快速發(fā)展，以及 5G、物聯(lián)網(wǎng)、節(jié)能環(huán)保、新能源汽 車等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的推動下，半導體的需求持續(xù)增加。預計2023...
2023-07-11
半導體 集成電路
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評估CAN收發(fā)器的正確系統(tǒng)級測試方法
本文介紹了評估"控制器局域網(wǎng)"(CAN)收發(fā)器的正確系統(tǒng)級測試方法。通過展示在多CAN節(jié)點系統(tǒng)中執(zhí)行不同CAN節(jié)點之間的數(shù)據(jù)傳輸時如何避免實際數(shù)據(jù)傳輸問題，解釋了此種測試方法的優(yōu)越之處。
2023-07-11
CAN收發(fā)器 測試方法
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艾睿電子全方面的電池應用解決方案
越來越多的無線和電池供電設備越來越多地滲透到日常生活中，其中包括電動汽車（EV）與太陽能儲能系統(tǒng)等應用，如何對電池進行高效率的管理將是重要課題。本文將為您介紹電池管理系統(tǒng)（BMS）、電池化成、GaN FET、鋰碳電容器（LCC）、儲能模塊系統(tǒng)等解決方案，使您全面性地進一步了解電池應用相關技術。
2023-07-11
艾睿電子 電池應用 解決方案
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采用SiC MOSFET的高性能逆變焊機設計要點
近年來，為了更好地實現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用，需要更多節(jié)能產(chǎn)品，因此，關于焊機能效的強制性規(guī)定應運而生。經(jīng)改進的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200V采用基于.XT擴散焊技術的TO-247封裝，其非常規(guī)封裝和熱設計方法通過改良設計提高了能效和功率密度。
2023-07-11
SiC MOSFET 逆變焊機 設計要點
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注意！設計半橋 LLC 諧振轉換器，你得注意這些
在眾多諧振轉換器中，LLC 諧振轉換器有著高功率密度應用中最常用的拓撲結構。與其他諧振拓撲相比，這種拓撲具有許多優(yōu)點：它能以相對較小的開關頻率變化來調(diào)節(jié)整個負載變化的輸出；它可以實現(xiàn)初級側開關的零電壓開關 (ZVS) 和次級側整流器的零電流開關 (ZCS)；而且，諧振電感可以集成到變壓器中。NC...
2023-07-11
半橋 LLC 諧振轉換器
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SiC Traction模塊的可靠性基石AQG324
前面的文章，和大家分享了安森美(onsemi)在襯底和外延的概況，同時也分享了安森美在器件開發(fā)的一些特點和進展。到這里大家對于SiC的產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)有一定的了解了。也就是從襯底到芯片，對于一個SiC功率器件來說只是完成了一半的工作，還有剩下一半就是這次我們要分享的封裝。好的封裝才能把SiC的性能發(fā)...
2023-07-10
SiC Traction模塊 基石 AQG324
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SiFive中國技術論壇圓滿落幕, 實力詮釋RISC-V成“垂直半導體時代”必選項
“RISC-V勢不可擋，” 暌違中國數(shù)年的RISC-V主要發(fā)明人、SiFive共同創(chuàng)辦人兼首席架構師Krste Asanovic教授，在近日剛剛圓滿落幕的2023 SiFive RISC-V中國技術論壇北京、上海、深圳三地巡回演講時，始終強調(diào)了這一核心思想。
2023-07-10
SiFive RISC-V
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