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MOSFET器件的高壓CV測(cè)試詳解
MOSFET、IGBT和BJT等半導(dǎo)體器件的開關(guān)速度受到元件本身的電容的影響。為了滿足電路的效率，設(shè)計(jì)者需要知道這些參數(shù)。例如，設(shè)計(jì)一個(gè)高效的開關(guān)電源將要求設(shè)計(jì)者知道設(shè)備的電容，因?yàn)檫@將影響開關(guān)速度，從而影響效率。這些信息通常在MOSFET的指標(biāo)說明書中提供。
2024-06-08
MOSFET 器件 高壓CV IGBT BJT
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意法半導(dǎo)體在意大利打造世界首個(gè)一站式碳化硅產(chǎn)業(yè)園
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics, 簡(jiǎn)稱ST; 紐約證券交易所代碼: STM)，宣布將在意大利卡塔尼亞打造一座集8英寸碳化硅(SiC)功率器件和模塊制造、封裝、測(cè)試于一體的綜合性大型制造基地。通過整合同一地點(diǎn)現(xiàn)有的碳化硅襯底制造廠，意法半導(dǎo)體將打造一...
2024-06-08
意法半導(dǎo)體 碳化硅
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單相光伏并網(wǎng)系統(tǒng)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)簡(jiǎn)介
在單相小功率光伏并網(wǎng)系統(tǒng)中，有隔離型和非隔離型兩種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。隔離型有成本高、體積大等諸多缺點(diǎn)，因此非隔離型成為目前主流的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，本文主要介紹非隔離型的全橋以及HERIC兩種較為常用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
2024-06-08
單相光伏 并網(wǎng)系統(tǒng) 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
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創(chuàng)新音頻解決方案：類比半導(dǎo)體的國(guó)產(chǎn)中大功率功放技術(shù)
上海類比半導(dǎo)體技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱“類比半導(dǎo)體”或“類比”）作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的模擬及數(shù)模混合芯片設(shè)計(jì)商，正通過其創(chuàng)新的中大功率模擬/數(shù)字功放技術(shù)，重塑消費(fèi)電子市場(chǎng)中高端音頻產(chǎn)品的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。隨著國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速崛起，類比半導(dǎo)體基于其17年功放研發(fā)經(jīng)驗(yàn)的團(tuán)隊(duì)，另辟賽道，專注中大功率模擬...
2024-06-08
音頻 類比半導(dǎo)體 大功率功放
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運(yùn)用雙MOSFET避免SEU的影響
很久很久以前，在一個(gè)遙遠(yuǎn)的星系中，有某個(gè)東西突然間爆炸了。其造成的結(jié)果是亞原子物質(zhì)的爆發(fā)，而其中的一些物質(zhì)最終在我們這里找到了出路。
2024-06-08
雙MOSFET SEU
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六支頂級(jí)國(guó)家足球隊(duì)加持，TCL不凡之隊(duì)，競(jìng)逐歐美之巔
TCL宣布成為2024年西班牙、意大利、德國(guó)、波蘭、斯洛伐克等五支國(guó)家隊(duì)的官方合作伙伴，出征2024年歐洲杯。
2024-06-07
TCL
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“固本強(qiáng)基”成效顯著，元器件、設(shè)備企業(yè)積極報(bào)名第104屆中國(guó)電子展
元器件和設(shè)備制造是電子信息產(chǎn)業(yè)的底座，底座牢不牢固，決定著整個(gè)產(chǎn)業(yè)能否真正行穩(wěn)致遠(yuǎn)。在過去的2023年當(dāng)中，雖然依舊面臨著多重風(fēng)險(xiǎn)與挑戰(zhàn)，但我國(guó)電子信息行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈、供應(yīng)鏈韌性顯著增強(qiáng)，進(jìn)一步提升了整個(gè)行業(yè)的安全水平，也為整個(gè)國(guó)民經(jīng)濟(jì)積極發(fā)揮了“壓艙石”“倍增器”“催化劑”的重要作用。
2024-06-07
元器件 設(shè)備 中國(guó)電子展
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