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面向車(chē)載應(yīng)用的 DC/DC 電源
非乘用電動(dòng)車(chē)輛 (EV) 涵蓋從電動(dòng)叉車(chē)到拖拉機(jī)再到挖掘機(jī)等諸多應(yīng)用。其應(yīng)用場(chǎng)景包括機(jī)場(chǎng)擺渡車(chē)和高爾夫球車(chē)等載人交通工具；建筑、采礦和園林等行業(yè)所用的戶外設(shè)備；或托盤(pán)裝載機(jī)、叉車(chē)和自動(dòng)導(dǎo)引車(chē)等室內(nèi)設(shè)備。
2024-11-23
車(chē)載應(yīng)用 DC/DC 電源
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艾睿電子助力SAVART Motors擴(kuò)大其在印尼的電動(dòng)車(chē)制造規(guī)模
全球技術(shù)解決方案供應(yīng)商艾睿電子宣布為印尼本土電動(dòng)車(chē)制造商SAVART Motors提供支持，助力其設(shè)計(jì)和制造高品質(zhì)、安全且經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的電動(dòng)兩輪車(chē)。首批數(shù)百輛SAVART電動(dòng)兩輪車(chē)預(yù)計(jì)將于2025年第二季度投入市場(chǎng)。
2024-11-23
艾睿電子 SAVART Motors 電動(dòng)車(chē)制造
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隔離飛電容多電平變換器的硬件設(shè)計(jì)
為了確保在指定的 40 V 輸出上進(jìn)行安全可靠的測(cè)試，選擇組件時(shí)要考慮各種操作。為了實(shí)現(xiàn)更大的電壓測(cè)試，并展示飛跨電容器多電平轉(zhuǎn)換器 (FCMFC) 如何利用與反激式轉(zhuǎn)換器相同的組件更有效地執(zhí)行， 本研究中未使用飛跨電容器結(jié)構(gòu)帶來(lái)的較低額定電壓。這表明后續(xù)幾代產(chǎn)品將通過(guò)使用 額定值較低的半導(dǎo)體...
2024-11-23
飛電容 電平變換器 硬件設(shè)計(jì)
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【“源”察秋毫系列】多次循環(huán)雙脈沖測(cè)試應(yīng)用助力功率器件研究及性能評(píng)估
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，功率器件在電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。這些應(yīng)用對(duì)功率器件的性能和可靠性提出了更高的要求。特別是在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域，功率器件需要在高電壓、高電流和高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作，這對(duì)器件的耐久性和可靠性是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。同時(shí)，隨著SiC等寬禁帶半...
2024-11-23
雙脈沖測(cè)試應(yīng)用 功率器件
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高信噪比MEMS麥克風(fēng)驅(qū)動(dòng)人工智能交互
在英飛凌，我們一直堅(jiān)信卓越的音頻解決方案對(duì)于提升消費(fèi)類(lèi)設(shè)備的用戶體驗(yàn)至關(guān)重要。我們堅(jiān)定不移地致力于創(chuàng)新，在主動(dòng)降噪、語(yǔ)音透?jìng)?、錄音室錄音、音頻變焦和其他相關(guān)技術(shù)方面取得了顯著進(jìn)步，對(duì)此我們深感自豪。作為MEMS麥克風(fēng)的領(lǐng)先供應(yīng)商，英飛凌集中資源改善MEMS麥克風(fēng)的音頻質(zhì)量，為T(mén)WS和耳罩...
2024-11-23
高信噪比 MEMS麥克風(fēng) 人工智能交互
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AMTS & AHTE South China 2024圓滿落幕 持續(xù)發(fā)力探求創(chuàng)新，攜手并進(jìn)再踏新征程！
汽車(chē)技術(shù)、工程與智能自動(dòng)化裝配生產(chǎn)行業(yè)盛會(huì)AMTS & AHTE South China 2024 華南汽車(chē)制造及工業(yè)裝配技術(shù)展覽會(huì)于2024年11月6-8日在深圳國(guó)際會(huì)展中心（寶安新館）16號(hào)館盛大召開(kāi)。本屆展會(huì)展示面積近20,000平米，近200展商集體亮相，吸引了26,216專業(yè)觀眾到場(chǎng)。展會(huì)同期舉辦的14場(chǎng)專業(yè)研討會(huì)、現(xiàn)場(chǎng)論...
2024-11-20
AMTS & AHTE South China 汽車(chē)技術(shù) 工程與智能自動(dòng)化 汽車(chē)制造
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提高下一代DRAM器件的寄生電容性能
隨著傳統(tǒng)DRAM器件的持續(xù)縮小，較小尺寸下寄生電容的增加可能會(huì)對(duì)器件性能產(chǎn)生負(fù)面影響，未來(lái)可能需要新的DRAM結(jié)構(gòu)來(lái)降低總電容，并使器件發(fā)揮出合格的性能。本研究比較了6F2蜂窩動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 器件與4F2垂直通道訪問(wèn)晶體管 (VCAT) DRAM結(jié)構(gòu)的寄生電容。結(jié)果表明，與6F2結(jié)構(gòu)相比，4F2結(jié)...
2024-11-20
DRAM器件 寄生電容
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