
14與16納米晶片差距在哪?為何惹得三星和臺(tái)積電“你追我趕”
發(fā)布時(shí)間:2015-06-23 責(zé)任編輯:sherry
【導(dǎo)讀】三星和臺(tái)積電這一對(duì)冤家近期在半導(dǎo)體制程上你追我趕,進(jìn)度不相上下。雙方均想憑借先進(jìn)的技術(shù)搶得圓代工中的大部分訂單,戰(zhàn)爭(zhēng)主要爆發(fā)在14與16納米之間。對(duì)外行來(lái)說(shuō),這兩納米的差距似乎并不大,其實(shí)不然。這其中的差距在哪?縮小制程面臨著那些難處?又有哪些優(yōu)勢(shì)?下面大家就隨小編一起來(lái)看看吧。
納米到底有多細(xì)微?
在開(kāi)始之前,要先了解納米究竟是什么意思。在數(shù)學(xué)上,納米是0.000000001公尺,但這是個(gè)相當(dāng)差的例子,畢竟我們只看得到小數(shù)點(diǎn)后有很多個(gè)零,卻沒(méi)有實(shí)際的感覺(jué)。如果以指甲厚度做比較的話,或許會(huì)比較明顯。
用尺規(guī)實(shí)際測(cè)量的話可以得知指甲的厚度約為0.0001公尺(0.1毫米),也就是說(shuō)試著把一片指甲的側(cè)面切成10萬(wàn)條線,每條線就約等同于1納米,由此可略為想像得到1納米是何等的微小了。
知道納米有多小之后,還要理解縮小制程的用意,縮小電晶體的最主要目的,就是可以在更小的晶片中塞入更多的電晶體,讓晶片不會(huì)因技術(shù)提升而變得更大;其次,可以增加處理器的運(yùn)算效率;再者,減少體積也可以降低耗電量;最后,晶片體積縮小后,更容易塞入行動(dòng)裝置中,滿(mǎn)足未來(lái)輕薄化的需求。
再回來(lái)探究納米制程是什么,以14納米為例,其制程是指在晶片中,線最小可以做到14納米的尺寸,下圖為傳統(tǒng)電晶體的長(zhǎng)相,以此作為例子??s小電晶體的最主要目的就是為了要減少耗電量,然而要縮小哪個(gè)部分才能達(dá)到這個(gè)目的?圖1(a)中的L就是我們期望縮小的部分。藉由縮小閘極長(zhǎng)度,電流可以用更短的路徑從Drain端到Source端(有興趣的話可以利用Google以MOSFET搜尋,會(huì)有更詳細(xì)的解釋?zhuān)?/div>

此外,電腦是以0和1作運(yùn)算,要如何以電晶體滿(mǎn)足這個(gè)目的呢?做法就是判斷電晶體是否有電流流通。當(dāng)在Gate端(綠色的方塊)做電壓供給,電流就會(huì)從Drain端到Source端,如果沒(méi)有供給電壓,電流就不會(huì)流動(dòng),這樣就可以表示1和0。
尺寸縮小有其物理限制
不過(guò),制程并不能無(wú)限制的縮小,當(dāng)我們將電晶體縮小到20納米左右時(shí),就會(huì)遇到量子物理中的問(wèn)題,讓電晶體有漏電的現(xiàn)象,抵銷(xiāo)縮小L時(shí)獲得的效益。作為改善方式,就是導(dǎo)入FinFET(Tri-Gate)這個(gè)概念,如右上圖。在Intel以前所做的解釋中,可以知道藉由導(dǎo)入這個(gè)技術(shù),能減少因物理現(xiàn)象所導(dǎo)致的漏電現(xiàn)象。
更重要的是,藉由這個(gè)方法可以增加Gate端和下層的接觸面積。在傳統(tǒng)的做法中(左上圖),接觸面只有一個(gè)平面,但是采用FinFET(Tri-Gate)這個(gè)技術(shù)后,接觸面將變成立體,可以輕易的增加接觸面積,這樣就可以在保持一樣的接觸面積下讓Source-Drain端變得更小,對(duì)縮小尺寸有相當(dāng)大的幫助。
最后,則是為什么會(huì)有人說(shuō)各大廠進(jìn)入10納米制程將面臨相當(dāng)嚴(yán)峻的挑戰(zhàn),主因是1顆原子的大小大約為0.1納米,在10納米的情況下,一條線只有不到100顆原子,在制作上相當(dāng)困難,而且只要有一個(gè)原子的缺陷,像是在制作過(guò)程中有原子掉出或是有雜質(zhì),就會(huì)產(chǎn)生不知名的現(xiàn)象,影響產(chǎn)品的良率。
如果無(wú)法想像這個(gè)難度,可以做個(gè)小實(shí)驗(yàn)。在桌上用100個(gè)小珠子排成一個(gè)10×10的正方形,并且剪裁一張紙蓋在珠子上,接著用小刷子把旁邊的的珠子刷掉,最后使他形成一個(gè)10×5的長(zhǎng)方形。這樣就可以知道各大廠所面臨到的困境,以及達(dá)成這個(gè)目標(biāo)究竟是多么艱鉅。
隨著技術(shù)的成熟,臺(tái)積電與三星正在加快14與16納米FinFET的量產(chǎn)進(jìn)程,兩者勢(shì)必會(huì)在近期內(nèi)爭(zhēng)奪蘋(píng)果iPhone手機(jī)芯片的代工,兩家企業(yè)的良性競(jìng)爭(zhēng)勢(shì)必會(huì)為消費(fèi)者們帶來(lái)更加省電的同時(shí)功能性更佳的產(chǎn)品,希望今后的市場(chǎng)上多一些這樣的良性競(jìng)爭(zhēng)。
特別推薦
- 存儲(chǔ)芯片超級(jí)周期來(lái)襲!三星、SK海力士利潤(rùn)預(yù)測(cè)一個(gè)月狂飆45%
- 1GW算力即將上線!Anthropic與谷歌合作加速Claude模型進(jìn)化
- 凈利暴漲279%!聞泰科技Q3業(yè)績(jī)亮眼,安世半導(dǎo)體貢獻(xiàn)七成利潤(rùn)
- 算力突破!納芯微NS800RT115x以M7內(nèi)核重塑實(shí)時(shí)控制性?xún)r(jià)比
- 高隔離與小型化兼得:金升陽(yáng)R3S系列DC/DC電源模塊技術(shù)解密
技術(shù)文章更多>>
- 技術(shù)雙雄聯(lián)手!逐點(diǎn)半導(dǎo)體與數(shù)字光芯共推Micro LED投影芯片升級(jí)
- 威世科技再傳捷報(bào),Ametherm系列NTC熱敏電阻成功通過(guò)UL認(rèn)證
- 再獲認(rèn)證!兆易創(chuàng)新GD32F5/G5系列STL測(cè)試庫(kù)通過(guò)IEC 61508 SIL 2/3安全標(biāo)準(zhǔn)
- 國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備年銷(xiāo)破千億,106CEF聚力打造產(chǎn)業(yè)盛會(huì)
- ADALM2000實(shí)驗(yàn)指南:有源混頻器設(shè)計(jì)與轉(zhuǎn)換增益分析
技術(shù)白皮書(shū)下載更多>>
- 車(chē)規(guī)與基于V2X的車(chē)輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車(chē)安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車(chē)模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車(chē)用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
熱門(mén)搜索
藍(lán)牙4.0
藍(lán)牙模塊
浪涌保護(hù)器
雷度電子
鋰電池
利爾達(dá)
連接器
流量單位
漏電保護(hù)器
濾波電感
濾波器
路由器設(shè)置
鋁電解電容
鋁殼電阻
邏輯IC
馬達(dá)控制
麥克風(fēng)
脈沖變壓器
鉚接設(shè)備
夢(mèng)想電子
模擬鎖相環(huán)
耐壓測(cè)試儀
逆變器
逆導(dǎo)可控硅
鎳鎘電池
鎳氫電池
紐扣電池
歐勝
耦合技術(shù)
排電阻
友情鏈接(QQ:317243736)
我愛(ài)方案網(wǎng) ICGOO元器件商城 創(chuàng)芯在線檢測(cè) 芯片查詢(xún) 天天IC網(wǎng) 電子產(chǎn)品世界 無(wú)線通信模塊 控制工程網(wǎng) 電子開(kāi)發(fā)網(wǎng) 電子技術(shù)應(yīng)用 與非網(wǎng) 世紀(jì)電源網(wǎng) 21ic電子技術(shù)資料下載 電源網(wǎng) 電子發(fā)燒友網(wǎng) 中電網(wǎng) 中國(guó)工業(yè)電器網(wǎng) 連接器 礦山設(shè)備網(wǎng) 工博士 智慧農(nóng)業(yè) 工業(yè)路由器 天工網(wǎng) 乾坤芯 電子元器件采購(gòu)網(wǎng) 亞馬遜KOL 聚合物鋰電池 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備 企業(yè)查詢(xún) 工業(yè)路由器 元器件商城 連接器 USB中文網(wǎng) 今日招標(biāo)網(wǎng) 塑料機(jī)械網(wǎng) 農(nóng)業(yè)機(jī)械 中國(guó)IT產(chǎn)經(jīng)新聞網(wǎng) 高低溫試驗(yàn)箱
?
關(guān)閉
?
關(guān)閉





