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提高RF微波測試正確性的六大秘訣
盡管大部分的RF 和微波測試系統所要量測的對象只有區(qū)區(qū)幾種廣泛的類別——放大器、發(fā)射器、接收器等，但每一套個別的系統卻會面臨一些不同的環(huán)境條件、要求和挑戰(zhàn)。在定義任何的RF和微波測試系統時，有三項共通的因素會相互影響：效能、速度與穩(wěn)定，能否在這三項因素間做最佳的取舍將關系著量測結果是否能達到要求的正確性水準。本文建議了一個考量這些取捨因素的架構，并且提供六大秘訣，教您如何克服RF 信號路徑上常會碰到的問題。
2012-01-04
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高側電流傳感器AD8205及其應用
AD8205是美國模擬器件公司推出的一種單電源高性能差分放大器，典型單電源供電電壓為5V，其共模電壓輸入范圍為-2~65V，可以耐受-5~+70V的輸入共模電壓，適用于高共模電壓情況下檢測小差分電壓的工業(yè)設備中。
2011-12-31
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第五講：高能效智能電表電源方案
從智能電表的組成來看，主要包括通信、電源及電源管理、計量及存儲等功能模塊。安森美半導體提供應用于智能電表各個功能模塊的豐富解決方案，如 PLC 調制解調器和線路驅動器、放大器、穩(wěn)壓、監(jiān)控、電壓保護、溫度傳感器、實時時鐘、存儲器、LCD 背光、I/O 接口、智能卡接口和 I/O 擴展器等。
2011-12-31
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運算放大器性能參數的影響因素
本文闡述了直流偏置電源對敏感模擬應用中所使用運算放大器(op amp)產生的影響，此外還涉及了電源排序及直流電源對輸入失調電壓的影響。另外，本文還介紹了一種通過線性穩(wěn)壓器(一般不具有追蹤能力)輕松實施追蹤分離電源的方法，以幫助最小化直流偏置電源帶來的一些不利影響。
2011-12-30
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射頻功率測量電路設計
近年來，隨著3G技術的快速發(fā)展，在進行通信系統設計時，射頻功率的控制和測量十分重要。本文以美國ADI公司的AD8318單片射頻功率測量芯片為核心，設計了基于對數放大器檢測方法的射頻功率測量電路，該方法具有動態(tài)范圍大，頻率范圍廣，精度高和溫度穩(wěn)定性好的特點。
2011-12-28
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基于單片機的串聯鋰離子電池組監(jiān)測系統設計
介紹一個以51系列單片機為主控單元的串聯鋰離子電池組監(jiān)測系統。采用差分放大器和模擬開關輪流檢測單體電池電壓，利用單片機的IO接口和DS18B20實現單總線多點溫度檢測。系統簡單經濟，經過試驗，能可靠、準確地對串聯鋰離子電池組進行監(jiān)測。
2011-12-23
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角多路技術在準分子激光放大器中的應用
對于準分子激光放大器，由于激活介質的上能態(tài)儲能時間很短，必須連續(xù)補充瞬態(tài)儲能(Em)才能獲得高能輸出，即E=EmT/t，其中T是增益時間，t是增益恢復時間。對于電子束泵浦的準分子激光放大器，增益時間可以長達200ns，T/t≈100，這意味著對于單個要放大的短脈沖，只能提取出很小一部分能量。為了持續(xù)提取出放大器中的儲能，通常使用光學多路編碼技術。
2011-12-22
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正確調節(jié)濾波器各組件以提高降噪效果
要想避免多余噪聲信號的傳播，對儀表放大器輸入端低通濾波器中各組件進行正確的匹配和調節(jié)至關重要。最終，才能讓內部電磁干擾/無線電頻率干擾 (EMI/RFI) 濾波和 CMRR 共同作用，降低其他噪聲，從而達到可以接受的信噪比 (SNR)。
2011-12-14
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電流反饋運放大器工作原理的問題
電壓反饋是指一種誤差信號為電壓形式的閉環(huán)結構。傳統運放都用電壓反饋，即它們的輸入對電壓變化有響應，從而產生一個相應的輸出電壓。電流反饋是指用作反饋的誤差信號為電流形式的閉環(huán)結構。CFA其中一個輸入端對誤差電流有響應，而不是對誤差電壓有響應，最后產生相應的輸出電壓。
2011-12-09
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MSP430的直流寬帶放大器設計
隨著社會生產力的發(fā)展，人們迫切地要求能夠遠距離隨時隨地迅速而準確地傳送多媒體信息。于是，無線通信技術得到了迅猛的發(fā)展，技術也越來越成熟。而寬帶放大器是上述通信系統和其他電子系統必不可少的一部分，低噪聲放大電路模塊很大程度上決定了系統的整體指標。由此可知，寬帶放大器在通信系統中起到非常重要的作用，于是人們對它的要求也越來越高。
2011-12-09
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防過電壓放大器輸出保護電路設計
為汽車電子產品的普遍要求，任何直接的線束連接器必須能夠承受短路的電池電壓。這個規(guī)定是必要的可靠性和安全性。其中一個需要這種保護的例子是音頻放大器，能在汽車內飾生產指標的噪音。盡管從低電壓(3.3V或5V)操作，它必須能夠站在過滿電池電壓。一個保護網絡，這些放大器(圖1)適當的可用于汽車電路，以及其他。
2011-12-07
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MGFC50G5867/MGFC47G5867：三菱電機推出最高功率GaN HEMT功率放大器
三菱電機株式會社宣布研發(fā)出兩款用于C波段※1衛(wèi)星通信地面站※2的GaN HEMT功率放大器：MGFC50G5867 和MGFC47G5867 ，擁有100W和50W的業(yè)屆最高輸出※5功率，樣品從2012年1月10日開始提供。
2011-12-05
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