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美光率先于業(yè)界推出 1α DRAM 制程技術(shù)
2021年 1 月 27 日，中國(guó)上海 — 內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU) 今日宣布批量出貨基于 1α (1-alpha) 節(jié)點(diǎn)的 DRAM 產(chǎn)品。該制程是目前世界上最為先進(jìn)的 DRAM 技術(shù)，在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。這是繼最近首推全球最快顯存和 176 層 NAND 產(chǎn)品后，美光實(shí)現(xiàn)的又一突破性里程碑，進(jìn)一步加強(qiáng)了公司在業(yè)界的競(jìng)爭(zhēng)力。
2021-01-27
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美光攜手聯(lián)想、聯(lián)寶科技成立聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，加速開發(fā)下一代PC和筆記本電腦
2021年 1 月 25 日，中國(guó)上海 — 內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU) 今日宣布攜手聯(lián)想及聯(lián)寶科技 (聯(lián)想旗下最大的制造和研發(fā)機(jī)構(gòu)) 成立聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。該實(shí)驗(yàn)室是內(nèi)存和存儲(chǔ)業(yè)界首家同時(shí)聯(lián)合原始設(shè)計(jì)制造商 (ODM) 及原始設(shè)備制造商 (OEM) 的聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。這種獨(dú)特的三方合作模式將加快美光的 DRAM 和 NAND 前沿創(chuàng)新技術(shù) (例如 GDDR6、LPDDR5、DDR5 和 PCIe 4.0 NVMe SSD) 在聯(lián)想產(chǎn)品設(shè)計(jì)中的應(yīng)用，從而更好地滿足用戶的核心工作負(fù)載需求。
2021-01-27
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Vishay贊助的同濟(jì)大學(xué)電動(dòng)方程式車隊(duì)勇奪冠軍，支持培養(yǎng)下一代汽車設(shè)計(jì)師
賓夕法尼亞、MALVERN — 2021年1 月 25 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，其贊助的同濟(jì)大學(xué)大學(xué)生電動(dòng)方程式車隊(duì)---DIAN Racing首次榮獲中國(guó)大學(xué)生電動(dòng)方程式汽車大賽（FSEC）總冠軍。
2021-01-25
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高速串行 ：AC耦合電容的選值需要考量這么多因素呀？？
我們知道，在串行信號(hào)中串個(gè)AC耦合電容，這個(gè)電容可以提供直流偏壓和過電流保護(hù)，但也會(huì)給鏈路帶了另一個(gè)問題PDJ(pattern-dependent jitter)。顧名思義，這和碼型有關(guān)。我們的鏈路可以等效成高通RC電路，當(dāng)出現(xiàn)連續(xù)的“1”或“0”時(shí)，會(huì)出現(xiàn)下圖的直流壓降，這不僅會(huì)影響眼高，還會(huì)造成PDJ。
2021-01-22
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什么是鐵電存儲(chǔ)器？
隨著我們進(jìn)入超智能和超互聯(lián)的第四次工業(yè)革命時(shí)代，高密度和高性能存儲(chǔ)器的重要性比以往任何時(shí)候都更大。目前應(yīng)用最廣泛的NAND閃存由于依賴電荷陷阱效應(yīng)存儲(chǔ)信息，存在功耗高、運(yùn)行速度慢、易重復(fù)使用等問題。為此，POSTECH的一個(gè)研究小組最近展示了一種鐵電存儲(chǔ)器，它在運(yùn)行速度、功耗和設(shè)備可靠性方面都超過了傳統(tǒng)閃存的性能。
2021-01-21
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前Intel新思全球技術(shù)高管加入中國(guó)芯片IP新銳公司，助推后者全球化部署
2021年1月18日—— 先進(jìn)工藝芯片IP領(lǐng)先企業(yè)芯耀輝科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“芯耀輝”）宣布任命安華（Anwar Awad）先生擔(dān)任芯耀輝全球總裁，全面負(fù)責(zé)技術(shù)和產(chǎn)品戰(zhàn)略實(shí)施，管理國(guó)際研發(fā)團(tuán)隊(duì)，及領(lǐng)導(dǎo)公司并購(gòu)戰(zhàn)略。隨著安華先生的加入，芯耀輝得以加速全球化部署的腳步，全面提速先進(jìn)芯片IP技術(shù)的研發(fā)和產(chǎn)品布局。
2021-01-18
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為何eMMC芯片磨損導(dǎo)致MCU和車輛無(wú)法正常運(yùn)作？
ODI最近對(duì)較舊的Teslas Model S和Model X車輛提出的信息要求突顯了工作負(fù)載疏忽，其中基于NVIDIA Tegra 3處理器和集成8GB eMMC NAND閃存的主控制單元（MCU）遇到了問題。
2021-01-13
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電源適配器的EMC問題分析
電源適配器（Power adapter）是小型便攜式電子設(shè)備及電子電器的供電電源變換設(shè)備，一般由外殼、變壓器、電感、電容、控制IC、PCB板等元器件組成，它的工作原理由交流輸入轉(zhuǎn)換為直流輸出；按連接方式可分為插墻式和桌面式。廣泛配套于安防攝像頭，機(jī)頂盒，路由器，燈條，按摩儀等設(shè)備中。適配器本質(zhì)上就是一個(gè)開關(guān)電源，因此EMC問題也越來(lái)越受到大家關(guān)注。
2021-01-11
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貿(mào)澤電子聯(lián)合ADI舉辦ATE在線研討會(huì)，打造高效測(cè)試解決方案
專注于引入新品并提供海量庫(kù)存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布將攜手ADI于1月12日下午14:00-15:30舉辦一期主題為“ADI助力半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備成長(zhǎng)”的在線研討會(huì)。屆時(shí)，來(lái)自ADI 的技術(shù)專家將與觀眾探討分享特定于ATE 應(yīng)用的豐富產(chǎn)品線以及相應(yīng)的參考設(shè)計(jì)方案，讓工程師們能夠更好的了解半導(dǎo)體自動(dòng)測(cè)試設(shè)備，進(jìn)一步提升測(cè)試實(shí)用技能。
2021-01-07
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小功率電子負(fù)載實(shí)現(xiàn)快速負(fù)載瞬態(tài)測(cè)試
在DCDC電源測(cè)試中，負(fù)載瞬態(tài)測(cè)試（Load Transient Test）是十分重要的一環(huán)，利用負(fù)載瞬態(tài)測(cè)試，可以快速評(píng)估所測(cè)電源的穩(wěn)定性與快速性，而在DCDC轉(zhuǎn)換器芯片的選型時(shí)，負(fù)載瞬態(tài)測(cè)試表現(xiàn)也是評(píng)估該芯片動(dòng)態(tài)性能的重要參考。下圖是某DCDC轉(zhuǎn)換器負(fù)載瞬態(tài)測(cè)試的典型波形，CH3為輸出電壓的AC分量，CH4為負(fù)載電流。注意到負(fù)載電流上升斜率與下降斜率并不相同，較緩的上升斜率對(duì)應(yīng)較小的電壓跌落（Undershoot），而陡峭的下降斜率則對(duì)應(yīng)較大的電壓過沖（Overshoot）。
2021-01-07
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貿(mào)澤電子與 TI 聯(lián)手推出新電子書探索下一代機(jī)器人
貿(mào)澤電子宣布與 Texas Instruments 聯(lián)手推出一本新書The Future of Robotics（機(jī)器人未來(lái)展望），探討下一代機(jī)器人解決方案的實(shí)用開發(fā)經(jīng)驗(yàn)與策略。
2021-01-04
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Teledyne e2v ARM耐輻射微處理器為太空/衛(wèi)星平臺(tái)計(jì)算帶來(lái)革命性變化
太空飛行系統(tǒng)在過去的60年里經(jīng)歷了快速的發(fā)展。從軍事，到氣象，到地球觀測(cè)，再到電信（特別是隨著5G網(wǎng)絡(luò)的全球發(fā)展），一個(gè)技術(shù)問題貫穿始終——如何選擇和實(shí)現(xiàn)一款快速、可靠的宇航級(jí)微處理器。其基本要求包括計(jì)算能力/速度、尺寸、重量、功耗和成本，以滿足耐輻射太空/衛(wèi)星發(fā)展的挑戰(zhàn)和適應(yīng)性。
2020-12-30
- 線繞電阻技術(shù)解析與選型策略
- 傳感器+AI+衛(wèi)星：貿(mào)澤電子農(nóng)業(yè)資源中心揭秘精準(zhǔn)農(nóng)業(yè)“黑科技”
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