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橋式結構中的柵極-源極間電壓的行為：導通時
在功率開關器件最常見的應用中，包括與上一篇文章中提到的雙脈沖測試電路相同的橋式結構。對于橋式結構情況下的柵-源電壓的行為，在Tech Web基礎知識SiC功率元器件的“SiC MOSFET：橋式結構中柵極-源極間電壓的動作”和這篇文章所依據的應用指南“橋式結構中柵極-源極電壓的行為”中，介紹了相互影響的動作情況。
2022-11-16
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讓電動汽車牽引逆變器設計更靈活，成本更優(yōu)的反激控制器
在全球氣候變暖和和雙碳的背景下，以電能驅動車輛的交通方式在未來出行將占據主要地位。牽引逆變器（Traction Inverter）作為新能源汽車中重要的信號和能量傳遞部件，將動力電池輸出的直流電逆變?yōu)槿嘟涣麟婒寗与姍C，同時接收來自整車控制器和控制機構（制動踏板、油門踏板、換擋機構）的信息對電機的工作加以控制。德州儀器可在此應用中提供符合AEC-Q100 標準的反激控制器電源方案。
2022-11-11
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Interlock互鎖電路在不同驅動器下的實現(xiàn)
在電機驅動、逆變電源等應用中，橋式電路是最基本的拓撲，典型三相橋式逆變電路如下圖1所示。而橋式電路中的任一橋臂，其上下管一般采用180°導通方式，即上下管互補開關，為避免上下管直通，可采用插入死區(qū)的方式把上下管導通時刻錯開。但是，實際應用中微控制器可能因為程序錯亂或上電過程中IO默認高電平等原因，使得上下管驅動信號同時為高電平（有效電平），從而上下管發(fā)生同時導通（Shoot Through），這將可能帶來燒壞功率模塊的嚴重后果。Interlock即互鎖電路就是針對該工況而設計的，可有效提高系統(tǒng)可靠性。
2022-11-09
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基于DRV824X-Q1系列的TEC控制系統(tǒng)
在聚合酶鏈式反應（Polymerase chain reaction, PCR）設備中，需要通過控制試管內的溫度使得管內的DNA進行高溫變性（將DNA解螺旋為雙鏈DNA）、低溫退火（將引物與模板DNA進行互補配對）、中溫延伸（在恒溫的作用下進行擴增）。圖1展示了NDA復制的溫度控制周期。
2022-11-09
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貿澤與ST合作推出新電子書，探討響應式邊緣人工智能的未來
2022年11月3日 – 專注于推動行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 分銷商?貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與STMicroelectronics (ST) 合作推出新電子書《Intelligence at the Edge》（邊緣智能），探討部署在邊緣的人工智能 (AI) 與機器學習 (ML) 的新發(fā)展。書中來自貿澤和ST的主題專家深入分析了邊緣AI和ML開發(fā)的挑戰(zhàn)和應用，其精選文章涵蓋智能傳感器、嵌入式神經網絡和響應式AI等主題。
2022-11-03
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2022年“創(chuàng)造未來”設計大賽圓滿成功
2022年11月1日 – 全球電子元器件授權分銷商和“創(chuàng)造未來”設計大賽贊助商貿澤電子 (Mouser Electronics) 向2022年大賽獲勝團隊表示祝賀，特別頒獎晚宴將于11月份舉行。這是SAE International 公司旗下的SAE Media Group主辦的第20屆年度大賽，由貿澤與其重要供應商Intel?和Analog Devices, Inc共同贊助。
2022-11-01
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[技術淺談 TechTalk] TVS簡介
PN結二極管具有正向導通，反向關斷的特性，通過不同的材料、摻雜、外延以及工藝的改進使其廣泛應用于電力電子行業(yè)功率變換與電路保護，TVS二極管具有響應速度快、漏電流小、鉗位電壓穩(wěn)以及無壽命衰減的特性，從小到信號線靜電防護，大到電力系統(tǒng)抗雷擊浪涌，TVS都發(fā)揮著至關重要的作用。本章對TVS工作機理與核心參數展開分析，供產品選型參考。
2022-10-31
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ADI和Keysight Technologies強強聯(lián)手 共推相控陣技術加速部署
中國，北京–2022年10月17日–Analog Devices, Inc (Nasdaq: ADI)和Keysight Technologies, Inc. (NYSE: KEYS)宣布合作，共同加速相控陣技術的推廣與部署。相控陣技術能夠簡化與創(chuàng)建衛(wèi)星通信、雷達和相控陣系統(tǒng)相關的開發(fā)工作，是實現(xiàn)無處不在的連接和泛在檢測的關鍵。
2022-10-18
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瑞薩電子完成對Steradian的收購
2022 年 10 月 17 日，日本東京訊 - 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，截至2022年10月17日已完成對提供4D成像雷達解決方案的無晶圓半導體公司Steradian Semiconductors Private Limited（“Steradian”）的收購。
2022-10-18
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測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項：一般測量方法
SiC MOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介紹的需要準確測量柵極和源極之間產生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進行講解，其實所講解的內容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2022-10-11
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助推電動汽車發(fā)展的新動力：Soitec 的 SmartSiC?
如果說人類世界當前面臨的最緊迫危機是如何降低二氧化碳排放量，以減緩已經造成的災難性環(huán)境破壞以及人口損害，那么，在當前的地球溫室氣體排放中，交通業(yè)的“貢獻”最大，傳統(tǒng)上它已被視為重要的污染源。
2022-10-11
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貿澤推出各種Microchip創(chuàng)新MCU解決方案，為嵌入式系統(tǒng)工程師提供更多支持
2022年9月21日 – 專注于引入新品并提供海量庫存?的電子元器件分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 持續(xù)為嵌入式系統(tǒng)工程師提供一系列支持資源。作為Microchip Technology解決方案的全球授權分銷商，貿澤備有其新一代MCU、混合信號、模擬和閃存IP解決方案，以降低各類應用的產品開發(fā)風險并加快上市。貿澤還為工程師提供了電子書等豐富的Microchip資源，為設計提供支持。
2022-10-01
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