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MKP 339 X2/338 2 X2/336 2 X2：Vishay新型X2 EMI抑制薄膜電容器
Vishay目前宣布，推出三款最大電源電壓可升至310 VAC的新型X2 電磁干擾（EMI）抑制薄膜電容器，該電容器具有較寬的引腳腳距和電容值范圍。
2008-09-26
MKP339 X2 MKP338 2 X2 MKP336 2 X2 薄膜電容器
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無(wú)源器件發(fā)展?fàn)顩r
對(duì)于越來(lái)越多的便攜電子系統(tǒng)來(lái)說(shuō),無(wú)源元件的小型化依然是一個(gè)重要課題.小型化的目標(biāo)是在較小的封裝中實(shí)現(xiàn)至少相同的性能.對(duì)于電容而言,不但要求在尺寸較小的封裝中實(shí)現(xiàn)更大的電容量,而且希望提高可耐受電壓;對(duì)于電阻而言,也要求在較小的封裝中達(dá)到相同或更高的性能。
2008-09-25
MLCC 電阻 鉭貼片電容
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TDK開發(fā)出1005尺寸移動(dòng)設(shè)備用薄膜帶通濾波器
TDK公司宣布開發(fā)出一款厚度僅0.3mm的1005尺寸薄膜帶通濾波器。TDK采用了其在HDD磁頭（TDK的主打產(chǎn)品）生產(chǎn)中研發(fā)的薄膜工藝，從而制造出真正低高度 (low-profile)且體積縮小至早期的2012尺寸產(chǎn)品1/12的濾波器。
2008-09-25
帶通濾波器
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滿足數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計(jì)的超薄、緊湊型DC/DC穩(wěn)壓器模塊
模擬DC/DC穩(wěn)壓器IC設(shè)計(jì)師和封裝工程師采用創(chuàng)造性的方法推出具更佳熱性能、更低噪聲和更緊湊尺寸的DC/DC穩(wěn)壓器負(fù)載點(diǎn)（POL）解決方案后，凌力爾特公司推出了最新 DC/DC 微型模塊（μModuleTM）穩(wěn)壓器LTM4604，本文詳細(xì)介紹了LTM4604的若干優(yōu)點(diǎn)及相關(guān)性能。
2008-09-25
DC/DC 穩(wěn)壓器 LTM4604 電流模式架構(gòu) POL 系統(tǒng)
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電子元器件：終端市場(chǎng)未來(lái)價(jià)格壓力加大
半導(dǎo)體：08年上半年國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)收入增長(zhǎng)10.4％，增速創(chuàng)近5年來(lái)的新低，2007年全球分立式功率器件和模塊市場(chǎng)增長(zhǎng)9.3％，未來(lái)五年年均增長(zhǎng)8-9％。
2008-09-24
分立式功率器件 元器件
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中國(guó)功率器件市場(chǎng)增速放緩MOSFET是亮點(diǎn)
在中國(guó)中，電源|穩(wěn)壓器管理IC仍舊占據(jù)市場(chǎng)首要位置，MOSFET位于第二位，大功率晶體管位于第三位，此三大產(chǎn)品銷售額占整體市場(chǎng)的80%以上。IGBT銷售額雖然不大，但隨著其在工業(yè)控制、消費(fèi)電子領(lǐng)域中應(yīng)用的不斷增多，其市場(chǎng)銷售額保持著較快的增長(zhǎng)，是中國(guó)功率器件市場(chǎng)中的新興產(chǎn)品。
2008-09-24
MOSFET 電源 穩(wěn)壓器管理IC IGBT
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帶微處理器的繼電器將會(huì)迅速發(fā)展
隨著微型和片式化技術(shù)的提高。繼電器將向二維、三維尺寸只有幾毫米的微型和表面貼裝化方向發(fā)展；現(xiàn)在國(guó)際上有些廠家生產(chǎn)的繼電器，體積只有5～10年前的1/4～1/8。因?yàn)殡娮诱麢C(jī)在減小體積時(shí)，需要高度不超過(guò)其它電子元件的更小的繼電器。
2008-09-24
繼電器
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Epson Toyocom開發(fā)出高性能的水晶絕對(duì)壓力傳感器
Epson Toyocom公司開發(fā)出小型，高性能的水晶壓力傳感器，采用獨(dú)創(chuàng)的QMEMS技術(shù)制造出的壓力傳感結(jié)構(gòu)，以此開發(fā)出具有±10帕（約一萬(wàn)分之一氣壓）的高精度與0.1帕的高分辨能力的高性能且體積為12.5ml、重量為15g的小型水晶絕對(duì)壓力傳感器。
2008-09-24
壓力傳感器
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SiE726DF：Vishay首款雙面冷卻30V功率MOSFET和肖特基二極管
Vishay目前宣布，推出業(yè)內(nèi)首款采用具頂?shù)咨嵬返姆庋b的30V單片功率MOSFET和肖特基二極管，該可在具有強(qiáng)迫通風(fēng)冷卻功能的系統(tǒng)中高性能運(yùn)作。新型SkyFET SiE726DF器件采用具有雙面冷卻功能的PolarPAK封裝，可提升高電流、高頻運(yùn)用的效率。
2008-09-24
SiE726DF MOSFET 肖特基二極管
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