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高速率時(shí)代下的電源完整性分析
作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的高端PCIe SSD主控芯片和方案提供商，憶芯科技一直走在技術(shù)創(chuàng)新的前沿，為了滿足各行業(yè)對(duì)于數(shù)據(jù)處理和存儲(chǔ)的需求，其推出多款極具出色性能和穩(wěn)定性的產(chǎn)品，包括支持PCIe 3.0的STAR1000P、PCIe 4.0的STAR2000、以及最新的PCIe 5.0高性能芯片STAR1500。未來(lái)隨著數(shù)據(jù)傳輸速率和接口帶寬的...
2024-11-08
電源完整性 SSD 主控芯片 憶芯科技
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【干貨】開啟可編程邏輯器件的無(wú)限可能
我們常說(shuō)邏輯器件是每個(gè)電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)的“粘合劑”，但在為系統(tǒng)選擇元件時(shí)，它們通常是您最后考慮的部分。確實(shí)有很多經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的標(biāo)準(zhǔn)邏輯器件可供選擇。但是，隨著設(shè)計(jì)變得越來(lái)越復(fù)雜，我們需要在電路板上集成邏輯元件，以便為更多功能留出空間。
2024-11-08
可編程邏輯器件
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意法半導(dǎo)體生物感測(cè)創(chuàng)新技術(shù)賦能下一代智能穿戴個(gè)人醫(yī)療健身設(shè)備
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 推出了一款新的面向智能手表、運(yùn)動(dòng)手環(huán)、智能戒指、智能眼鏡等下一代智能穿戴醫(yī)療設(shè)備的生物傳感器芯片。ST1VAFE3BX芯片集成高精度生物電位輸入與意法半導(dǎo)體的經(jīng)過(guò)市場(chǎng)檢驗(yàn)的慣性傳...
2024-11-08
意法半導(dǎo)體 生物感測(cè) 穿戴設(shè)備 醫(yī)療健身設(shè)備
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有延遲環(huán)節(jié)的burst控制中得到響應(yīng)時(shí)間變化規(guī)律的仿真分析方法
在電源芯片的數(shù)字控制方法中，經(jīng)常引入延遲環(huán)節(jié)。在引入延遲環(huán)節(jié)后，分析電路響應(yīng)的方法特別是定量計(jì)算會(huì)變得比較復(fù)雜。本文通過(guò)對(duì)一種有延遲環(huán)節(jié)的burst控制方法的分析，提出一種可用于工程實(shí)踐的方法，那就是通過(guò)電路分析，用在靜態(tài)工作點(diǎn)作瞬態(tài)響應(yīng)仿真的方法得到參數(shù)調(diào)試方向。
2024-11-05
burst控制 響應(yīng)時(shí)間 振蕩 仿真分析
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利用單片機(jī)實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的分立邏輯
開發(fā)人員可利用PIC16F13145系列單片機(jī)中的可配置邏輯模塊（CLB）外設(shè)實(shí)現(xiàn)硬件中復(fù)雜的分立邏輯功能，從而精簡(jiǎn)物料清單（BOM）并開發(fā)定制專用邏輯。
2024-11-05
單片機(jī) 分立邏輯
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實(shí)時(shí)控制技術(shù)如何實(shí)現(xiàn)可靠且可擴(kuò)展的高壓設(shè)計(jì)
隨著功率水平需求的提升和現(xiàn)代電源系統(tǒng)的日趨復(fù)雜，對(duì)高壓系統(tǒng)的需求也發(fā)生了重大變化。為了有效滿足這些需求，有必要采用實(shí)時(shí) MCU 或數(shù)字電源控制器來(lái)控制先進(jìn)的電源拓?fù)?，通過(guò)這些出色的拓?fù)鋪?lái)同時(shí)滿足精細(xì)的規(guī)格和各種電源要求。本文將討論數(shù)字電源控制在高壓應(yīng)用中的一些優(yōu)勢(shì)，并演示其如何助力...
2024-11-05
高壓系統(tǒng) 電力電子設(shè)備 實(shí)時(shí)控制技術(shù)
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我的熱插拔控制器電路為何會(huì)振蕩？
使用高端N溝道MOSFET (NFET)的熱插拔控制器，浪涌抑制器、電子保險(xiǎn)絲和理想二極管控制器，在啟動(dòng)和電壓/電流調(diào)節(jié)期間可能會(huì)發(fā)生振蕩。數(shù)據(jù)手冊(cè)通常會(huì)簡(jiǎn)要提到這個(gè)問(wèn)題，并建議添加一個(gè)小柵極電阻來(lái)解決。然而，如果不清楚振蕩的根本原因，設(shè)計(jì)人員就可能難以在布局中妥善放置柵極電阻，使電路容易受...
2024-11-04
熱插拔 控制器電路 振蕩
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如何使用GaNFET設(shè)計(jì)四開關(guān)降壓－升壓DC－DC轉(zhuǎn)換器？
在不斷追求減小電路板尺寸和提高效率的征途中，氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaNFET)功率器件已成為破解目前難題的理想選擇。GaN是一項(xiàng)新興技術(shù)，有望進(jìn)一步提高功率、開關(guān)速度以及降低開關(guān)損耗。這些優(yōu)勢(shì)讓功率密度更高的解決方案成為可能。
2024-11-04
GaNFET DC－DC轉(zhuǎn)換器 降壓 升壓
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優(yōu)化SPI驅(qū)動(dòng)程序的幾種不同方法
隨著技術(shù)的進(jìn)步，低功耗物聯(lián)網(wǎng)(IoT)和邊緣/云計(jì)算需要更精確的數(shù)據(jù)傳輸。圖1展示的無(wú)線監(jiān)測(cè)系統(tǒng)是一個(gè)帶有24位模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)的高精度數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)。在此我們通常會(huì)遇到這樣一個(gè)問(wèn)題，即微控制單元(MCU)能否為數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器提供高速的串行接口。
2024-11-01
SPI驅(qū)動(dòng)程序
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