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VML0805:羅姆最新便攜應(yīng)用超小晶體管封裝
羅姆株式會(huì)社為適應(yīng)對(duì)小型化、薄型化要求高的便攜式機(jī)器市場(chǎng)的需要,開發(fā)出業(yè)界超最小尺寸的晶體管封裝VML0805。這次,將從2008年11月開始相繼向用戶提供應(yīng)用這種封裝的通用三極管和內(nèi)置有電阻的數(shù)字晶體管的樣品。
2008-10-30
晶體管封裝 VML0805
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中芯國(guó)際推出0.11μm圖像傳感器制造技術(shù)
中國(guó)的中芯國(guó)際(SMIC)開發(fā)出了生產(chǎn)0.11μm CMOS圖像傳感器的工藝技術(shù)。其0.11μm工藝技術(shù)的布線層所用金屬材料既可使用鋁(Al)也可使用銅(Cu)。該公司已開始了0.11μm工藝技術(shù)的試生產(chǎn),可采用200mm或300mm晶圓生產(chǎn)。
2008-10-30
CMOS圖像傳感器
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中芯國(guó)際推出0.11μm圖像傳感器制造技術(shù)
中國(guó)的中芯國(guó)際(SMIC)開發(fā)出了生產(chǎn)0.11μm CMOS圖像傳感器的工藝技術(shù)。其0.11μm工藝技術(shù)的布線層所用金屬材料既可使用鋁(Al)也可使用銅(Cu)。該公司已開始了0.11μm工藝技術(shù)的試生產(chǎn),可采用200mm或300mm晶圓生產(chǎn)。
2008-10-30
CMOS圖像傳感器
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中芯國(guó)際推出0.11μm圖像傳感器制造技術(shù)
中國(guó)的中芯國(guó)際(SMIC)開發(fā)出了生產(chǎn)0.11μm CMOS圖像傳感器的工藝技術(shù)。其0.11μm工藝技術(shù)的布線層所用金屬材料既可使用鋁(Al)也可使用銅(Cu)。該公司已開始了0.11μm工藝技術(shù)的試生產(chǎn),可采用200mm或300mm晶圓生產(chǎn)。
2008-10-30
CMOS圖像傳感器
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什么使連接器市場(chǎng)需求大增
2007年3G開始進(jìn)入人們的視線,從而引發(fā)了一次連接器的大變革,“高溫”之下的手機(jī)連接器市場(chǎng)已經(jīng)出現(xiàn)飽和,利潤(rùn)逐漸降低,不少大連接器廠商及經(jīng)銷商開始把目光集中在汽車行業(yè),而迅速升溫的汽車行業(yè),能使連接器行業(yè)達(dá)到新的頂峰呢?
2008-10-30
汽車連接器 手機(jī)連接器
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基于LLC的半橋零電壓開關(guān)諧振變換器
講述了LLC諧振電路的工作原理和特點(diǎn)及其與其它一些諧振電路的比較,并且用Matlab對(duì)LLC諧振進(jìn)行了建模和仿真,分析了其工作區(qū)域。在此基礎(chǔ)上,用Philips公司的零電壓諧振控制器TEA1610構(gòu)建了一個(gè)200W的全諧振變換器。
2008-10-30
全諧振變換器 LLC 半橋 TEA1610
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系統(tǒng)時(shí)鐘源的比較選擇及高性能PLL的發(fā)展趨勢(shì)
本文分析了晶振模塊和PLL合成器這兩種主要的系統(tǒng)時(shí)鐘源的特點(diǎn),并重點(diǎn)闡述了PLL合成器相對(duì)于晶振模塊的替代優(yōu)勢(shì)。此外,本文還結(jié)合安森美半導(dǎo)體新近推出的多款PLL時(shí)鐘器件,探討了高性能PLL的發(fā)展趨勢(shì),如擴(kuò)展的頻率范圍、更低的相位噪聲,以及適合特定應(yīng)用的更寬的工作溫度范圍、可配置的多協(xié)議支...
2008-10-30
時(shí)鐘源 PLL 晶振
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系統(tǒng)時(shí)鐘源的比較選擇及高性能PLL的發(fā)展趨勢(shì)
本文分析了晶振模塊和PLL合成器這兩種主要的系統(tǒng)時(shí)鐘源的特點(diǎn),并重點(diǎn)闡述了PLL合成器相對(duì)于晶振模塊的替代優(yōu)勢(shì)。此外,本文還結(jié)合安森美半導(dǎo)體新近推出的多款PLL時(shí)鐘器件,探討了高性能PLL的發(fā)展趨勢(shì),如擴(kuò)展的頻率范圍、更低的相位噪聲,以及適合特定應(yīng)用的更寬的工作溫度范圍、可配置的多協(xié)議支...
2008-10-30
時(shí)鐘源 PLL 晶振
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論音頻輸出變壓器
本文主要討論了音頻變壓器的頻響以及音頻變壓器的繞制。
2008-10-30
音頻變壓器 頻響 繞制
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