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獲工信部4500億元財(cái)政支持 3G將借力起飛
工業(yè)和信息化部部長(zhǎng)李毅中13日在國(guó)務(wù)院新聞辦召開(kāi)的新聞發(fā)布會(huì)上表示,對(duì)于3G的發(fā)展,預(yù)計(jì)兩年半到三年會(huì)投入4500億元,三家運(yùn)營(yíng)商各發(fā)展用戶(hù)最少5000萬(wàn)戶(hù),爭(zhēng)取達(dá)到8000萬(wàn)
2009-08-18
3G TD 工信部
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獲工信部4500億元財(cái)政支持 3G將借力起飛
工業(yè)和信息化部部長(zhǎng)李毅中13日在國(guó)務(wù)院新聞辦召開(kāi)的新聞發(fā)布會(huì)上表示,對(duì)于3G的發(fā)展,預(yù)計(jì)兩年半到三年會(huì)投入4500億元,三家運(yùn)營(yíng)商各發(fā)展用戶(hù)最少5000萬(wàn)戶(hù),爭(zhēng)取達(dá)到8000萬(wàn)
2009-08-18
3G TD 工信部
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獲工信部4500億元財(cái)政支持 3G將借力起飛
工業(yè)和信息化部部長(zhǎng)李毅中13日在國(guó)務(wù)院新聞辦召開(kāi)的新聞發(fā)布會(huì)上表示,對(duì)于3G的發(fā)展,預(yù)計(jì)兩年半到三年會(huì)投入4500億元,三家運(yùn)營(yíng)商各發(fā)展用戶(hù)最少5000萬(wàn)戶(hù),爭(zhēng)取達(dá)到8000萬(wàn)
2009-08-18
3G TD 工信部
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全球平板看“金磚” “金磚”平板看中國(guó)
2009年1季度，全球平板電視出貨量2900多萬(wàn)臺(tái)，同比增幅24%。同比雖然上升，但低于2008年31%的增幅。從美國(guó)、歐洲、日本等平板電視市場(chǎng)看，情況也非常不樂(lè)觀，都出現(xiàn)了增速放緩、增速停滯、甚至出現(xiàn)負(fù)增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)。
2009-08-18
平板電視 金磚 中國(guó)
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全球平板看“金磚” “金磚”平板看中國(guó)
2009年1季度，全球平板電視出貨量2900多萬(wàn)臺(tái)，同比增幅24%。同比雖然上升，但低于2008年31%的增幅。從美國(guó)、歐洲、日本等平板電視市場(chǎng)看，情況也非常不樂(lè)觀，都出現(xiàn)了增速放緩、增速停滯、甚至出現(xiàn)負(fù)增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)。
2009-08-18
平板電視 金磚 中國(guó)
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全球平板看“金磚” “金磚”平板看中國(guó)
2009年1季度，全球平板電視出貨量2900多萬(wàn)臺(tái)，同比增幅24%。同比雖然上升，但低于2008年31%的增幅。從美國(guó)、歐洲、日本等平板電視市場(chǎng)看，情況也非常不樂(lè)觀，都出現(xiàn)了增速放緩、增速停滯、甚至出現(xiàn)負(fù)增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)。
2009-08-18
平板電視 金磚 中國(guó)
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SiB4xxDK：Vishay采用熱增強(qiáng)PowerPAK SC-75封裝的N溝道功率MOSFET
日前，Vishay 宣布，推出采用熱增強(qiáng)PowerPAK SC-75封裝、提供8V～30V VDS的功率MOSFET，擴(kuò)大了N溝道TrenchFET家族的陣容。今天發(fā)布的器件包括業(yè)界首款采用1.6mm x 1.6mm占位的30V器件，以及具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的20V MOSFET。
2009-08-18
MOSFET 負(fù)載 功放 便攜電子 Vishay
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SiB4xxDK：Vishay采用熱增強(qiáng)PowerPAK SC-75封裝的N溝道功率MOSFET
日前，Vishay 宣布，推出采用熱增強(qiáng)PowerPAK SC-75封裝、提供8V～30V VDS的功率MOSFET，擴(kuò)大了N溝道TrenchFET家族的陣容。今天發(fā)布的器件包括業(yè)界首款采用1.6mm x 1.6mm占位的30V器件，以及具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的20V MOSFET。
2009-08-18
MOSFET 負(fù)載 功放 便攜電子 Vishay
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SiB4xxDK：Vishay采用熱增強(qiáng)PowerPAK SC-75封裝的N溝道功率MOSFET
日前，Vishay 宣布，推出采用熱增強(qiáng)PowerPAK SC-75封裝、提供8V～30V VDS的功率MOSFET，擴(kuò)大了N溝道TrenchFET家族的陣容。今天發(fā)布的器件包括業(yè)界首款采用1.6mm x 1.6mm占位的30V器件，以及具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的20V MOSFET。
2009-08-18
MOSFET 負(fù)載 功放 便攜電子 Vishay
- 即插即用語(yǔ)音交互解決方案：ReSpeaker XVF3800系列開(kāi)發(fā)板全面上市
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- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
