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STW55NM60ND：意法半導(dǎo)體快速恢復(fù)MOSFET產(chǎn)品
意法半導(dǎo)體推出快速恢復(fù)MOSFET晶體管新產(chǎn)品系列，用于包括再生能源控制器在內(nèi)的以能效為中心的應(yīng)用需求。新產(chǎn)品在現(xiàn)有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上提高了開關(guān)性能，同時還使導(dǎo)通電阻實現(xiàn)超過18%的降幅。
2008-05-06
STW55NM60ND MOSFET 場效應(yīng)管
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B827*系列：EPCOS大電流電磁兼容性電源線扼流圈
借助專為大電流應(yīng)用而設(shè)計的型號，愛普科斯(EPCOS) 現(xiàn)已擴展其范圍。其雙重電源線扼流圈目前的電流能力可達54 A，新款B82725S*和B82726S*系列的電感值范圍介于0.2至100 mH之間。B8274*系列的三重扼流圈目前擁有高達62 A的電流能力
2008-05-01
B82725S* B82726S* B8274* 扼流圈
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B827*系列：EPCOS大電流電磁兼容性電源線扼流圈
借助專為大電流應(yīng)用而設(shè)計的型號，愛普科斯(EPCOS) 現(xiàn)已擴展其范圍。其雙重電源線扼流圈目前的電流能力可達54 A，新款B82725S*和B82726S*系列的電感值范圍介于0.2至100 mH之間。B8274*系列的三重扼流圈目前擁有高達62 A的電流能力
2008-05-01
B82725S* B82726S* B8274* 扼流圈
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TSFF5510：Vishay寬視角新型高功率高速紅外發(fā)射器
Vishay推出其首款寬視角、采用引腳封裝的紅外發(fā)射器，從而擴大了其光電子產(chǎn)品組合。通過其獨特設(shè)計的鏡頭，TSFF5510具有 ±38o 視角，與標準的 5 mm 發(fā)射器相比，可提供更優(yōu)異的性能。
2008-04-30
TSFF5510 紅外發(fā)射器
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Vishay的電點火器芯片電阻器榮獲 EDN無源元器件和互聯(lián)欄目第18屆年度創(chuàng)新獎
Vishay日前宣布，在4月14日加利福尼亞州圣荷西舉辦的宴會和頒獎典禮上，其電點火器芯片電阻器（EPIC）榮獲無源元器件和互聯(lián)欄目的EDN創(chuàng)新獎。
2008-04-24
EPIC 電點火器芯片電阻器
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APDS-9300：安華高科技新小型化數(shù)字環(huán)境亮度傳感器
Avago宣布，面向消費類、工業(yè)和汽車應(yīng)用推出能夠在廣泛照明條件下提供精確照明度測量的新小型化可編程數(shù)字環(huán)境亮度傳感器產(chǎn)品。Avago的APDS-9300低電壓環(huán)境亮度傳感器在設(shè)計上緊密貼近人眼的光譜響應(yīng)曲線，并集成數(shù)字式I2C接口來簡化導(dǎo)入到設(shè)計的程序。
2008-04-18
APDS-9300 環(huán)境亮度傳感器
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VEMT系列：Vishay PLCC-2 封裝的新型硅NPN光電晶體管
日前，Vishay推出采用可與無鉛 (Pb) 焊接兼容的 PLCC-2 表面貼裝封裝的新系列寬角光電晶體管。VEMT 系列中的器件可作為當前 TEMT 系列光電晶體管的針腳對針腳及功能等同的器件，從而可實現(xiàn)快速輕松的替代，以滿足無鉛 (Pb) 焊接要求。
2008-04-04
VEMT3700 VEMT3700F VEMT4700 光電晶體管
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B3292*E/F系列：EPCOS新薄膜電容器
憑借新款B3292*E/F系列，愛普科斯(EPCOS) 現(xiàn)可供應(yīng)支持高達45μF容值的X2防護級電容器。該元件專用于305V交流電和110℃的跨線應(yīng)用，并且已經(jīng)通過IEC60384-14、UL1283和CSA 22.2第8級別的認證。
2008-04-01
B3292*E/F 薄膜電容器
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B3292*E/F系列：EPCOS新薄膜電容器
憑借新款B3292*E/F系列，愛普科斯(EPCOS) 現(xiàn)可供應(yīng)支持高達45μF容值的X2防護級電容器。該元件專用于305V交流電和110℃的跨線應(yīng)用，并且已經(jīng)通過IEC60384-14、UL1283和CSA 22.2第8級別的認證。
2008-04-01
B3292*E/F 薄膜電容器
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