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電磁兼容自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)設(shè)計(jì)
EMI標(biāo)準(zhǔn)自動(dòng)測(cè)試軟件具有執(zhí)行效率高、儀器同步性好、模塊化設(shè)計(jì)、易于維護(hù)的諸多優(yōu)點(diǎn)。本系統(tǒng)解決了傳統(tǒng)測(cè)試的很多缺點(diǎn)和弊端，簡(jiǎn)化了測(cè)試過程大大提高了EMI標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試的工作效率，在電磁兼容領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前景。
2008-09-29
電磁兼容 系統(tǒng) 測(cè)試工作坊
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基于感應(yīng)耦合比率臂的高精度位移測(cè)量系統(tǒng)
本文討論了比率測(cè)量方法的優(yōu)點(diǎn)，介紹了運(yùn)用感應(yīng)耦合比率臂和差動(dòng)式電容位移傳感器設(shè)計(jì)的高精度微小位移測(cè)量系統(tǒng)。給出了一種實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)例子和主要的測(cè)試結(jié)果，說明了該設(shè)計(jì)在小位移測(cè)量中的有效性。
2008-09-29
位移測(cè)量 感應(yīng)耦合比率臂 電容傳感器 納米測(cè)量
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基于InSb-In薄膜磁阻元件電流傳感器的應(yīng)用
傳感器技術(shù)已成為現(xiàn)代信息技術(shù)的三大支柱之一，本文描述了采用InSb-In共晶體薄膜磁阻元件制成電流傳感器的實(shí)現(xiàn)，并介紹了銻化銦電流傳感器的結(jié)構(gòu)和工作原理，以及在工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)的應(yīng)用并得出相關(guān)結(jié)論。
2008-09-29
銻化銦電流傳感器 信號(hào)處理電路 馬達(dá)監(jiān)控
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毫歐姆電阻在汽車電子系統(tǒng)中的應(yīng)用
本文描述了在近幾年間，由于小體積的高精度低阻值電阻器的實(shí)用化，以及數(shù)據(jù)采集和處理器性能的大幅度提升，基于分流器的電流檢測(cè)方法的技術(shù)得到革新，使得毫歐姆電阻在汽車電子系統(tǒng)中得到廣泛的應(yīng)用。
2008-09-29
電流檢測(cè) ISA-ASIC 毫歐級(jí)電阻
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應(yīng)用于太陽能電池供電的升壓電路的討論
由于實(shí)際應(yīng)用有減少使用電池?cái)?shù)量及體積的趨勢(shì)，導(dǎo)致電源電壓比設(shè)備所需要的工作電壓要低，所以太陽能電池供電的升壓電路有其發(fā)展的前景。文章分析了輸入電壓情況下，開關(guān)器件的驅(qū)動(dòng)問題，升壓電路的啟動(dòng)問題，最大占空比的問題。
2008-09-28
電池 升壓 驅(qū)動(dòng) 占空比
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如何快速解決高速系統(tǒng)的信號(hào)完整性問題
隨著數(shù)據(jù)傳輸速率的不斷提高，系統(tǒng)的信號(hào)完整性問題倍受關(guān)注。解決信號(hào)完整性問題要從系統(tǒng)設(shè)計(jì)入手，減少抖動(dòng)的影響。解決信號(hào)完整性問題主要是解決系統(tǒng)的功率失配問題，主要方法是使用均衡補(bǔ)償功率電平失配和使用去加重技術(shù)補(bǔ)償功率電平失配。
2008-09-28
完整性 均衡 去加重
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帶微處理器的繼電器將會(huì)迅速發(fā)展
隨著微型和片式化技術(shù)的提高。繼電器將向二維、三維尺寸只有幾毫米的微型和表面貼裝化方向發(fā)展；現(xiàn)在國(guó)際上有些廠家生產(chǎn)的繼電器，體積只有5～10年前的1/4～1/8。因?yàn)殡娮诱麢C(jī)在減小體積時(shí)，需要高度不超過其它電子元件的更小的繼電器。
2008-09-26
繼電器
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滿足數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計(jì)的超薄、緊湊型DC/DC穩(wěn)壓器模塊
模擬DC/DC穩(wěn)壓器IC設(shè)計(jì)師和封裝工程師采用創(chuàng)造性的方法推出具更佳熱性能、更低噪聲和更緊湊尺寸的DC/DC穩(wěn)壓器負(fù)載點(diǎn)（POL）解決方案后，凌力爾特公司推出了最新 DC/DC 微型模塊（μModuleTM）穩(wěn)壓器LTM4604，本文詳細(xì)介紹了LTM4604的若干優(yōu)點(diǎn)及相關(guān)性能。
2008-09-25
DC/DC 穩(wěn)壓器 LTM4604 電流模式架構(gòu) POL 系統(tǒng)
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中國(guó)功率器件市場(chǎng)增速放緩MOSFET是亮點(diǎn)
在中國(guó)中，電源|穩(wěn)壓器管理IC仍舊占據(jù)市場(chǎng)首要位置，MOSFET位于第二位，大功率晶體管位于第三位，此三大產(chǎn)品銷售額占整體市場(chǎng)的80%以上。IGBT銷售額雖然不大，但隨著其在工業(yè)控制、消費(fèi)電子領(lǐng)域中應(yīng)用的不斷增多，其市場(chǎng)銷售額保持著較快的增長(zhǎng)，是中國(guó)功率器件市場(chǎng)中的新興產(chǎn)品。
2008-09-24
MOSFET 電源 穩(wěn)壓器管理IC IGBT
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