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基于聲表面波的某無(wú)線遠(yuǎn)距識(shí)別系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)
介紹了一種基于聲表面波器件的無(wú)線遠(yuǎn)距識(shí)別系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)。對(duì)聲表面波技術(shù)及聲表面波傳感器作了簡(jiǎn)要的介紹，針對(duì)某無(wú)線遠(yuǎn)距識(shí)別系統(tǒng)作了詳細(xì)的分析，并給出了測(cè)試結(jié)果。
2008-10-13
聲表面波 擴(kuò)展器 壓縮器 線性調(diào)頻
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基于SAW技術(shù)的車輛自動(dòng)識(shí)別系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)
介紹了基于SAW器件的無(wú)線識(shí)別技術(shù)的原理,詳細(xì)闡述了一種采用SAW(聲表面波)技術(shù)的高速運(yùn)動(dòng)車輛自動(dòng)識(shí)別系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)。
2008-10-13
SAW技術(shù) 自動(dòng)識(shí)別 超外差接收
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大功率寬帶射頻脈沖功率放大器設(shè)計(jì)
利用MOS場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)，采取AB類推挽式功率放大方式，采用傳輸線變壓器寬帶匹配技術(shù)，設(shè)計(jì)出一種寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器模塊，其輸出脈沖功率達(dá)1200W，工作頻段0.6M~10MHz。調(diào)試及實(shí)用結(jié)果表明，該放大器工作穩(wěn)定，性能可靠。
2008-10-13
MOS場(chǎng)效應(yīng)管 AB類功率放大 推挽 傳輸線變壓器 寬頻帶
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超高頻無(wú)源RFID標(biāo)簽的一些關(guān)鍵電路的設(shè)計(jì)
本文針對(duì)超高頻無(wú)源RFID 標(biāo)簽芯片的設(shè)計(jì)，給出了一些關(guān)鍵電路的設(shè)計(jì)考慮。文章介紹了四種電源恢復(fù)電路結(jié)構(gòu)，以及倍壓電路的解決方案，提出了串聯(lián)型和并聯(lián)型兩種穩(wěn)壓電路。文章提出了新的泄流源的設(shè)計(jì)，介紹了啟動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生電路的設(shè)計(jì)考慮。
2008-10-13
RFID 標(biāo)簽 恢復(fù) 穩(wěn)壓 調(diào)制 解調(diào)
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W波段雪崩管窄脈沖調(diào)制器的研究
脈沖調(diào)制器是脈沖體制發(fā)射機(jī)中重要的組成部分。設(shè)計(jì)了一種體積小、脈沖驅(qū)動(dòng)電流大的窄脈沖調(diào)制器，可用于驅(qū)動(dòng)W波段主被動(dòng)復(fù)合探測(cè)器中的雪崩二極管振蕩器，對(duì)脈沖體制的毫米波雷達(dá)等的發(fā)射機(jī)也有重要應(yīng)用意義。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該調(diào)制器是可行的。
2008-10-13
雪崩二極管 脈沖調(diào)制器 電路設(shè)計(jì)
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電子式電能表絕緣性能對(duì)EMC抗擾度試驗(yàn)的影響與改進(jìn)
本文討論電子式電能表的絕緣性能對(duì)EMC抗擾度試驗(yàn)的影響及改進(jìn)措施。通過(guò)增大間隙或爬電距離能使電能表的絕緣性能符合要求，從而能夠通過(guò)EMC抗擾度試驗(yàn)，而增加的成本最低。優(yōu)化后的試驗(yàn)流程為優(yōu)先通過(guò)6kV的脈沖電壓試驗(yàn)，然后進(jìn)行各項(xiàng)EMC抗擾度試驗(yàn)，可以達(dá)到事半功倍的效果。
2008-10-12
電子式電能表 絕緣性能 EMC 爬電距離
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電力電子中的傳導(dǎo)性ＥＭＩ噪聲源測(cè)量與分析
電力電子設(shè)備由于電磁兼容性能差而影響了其廣泛應(yīng)用，因此提高EMC性能，降低電磁干擾就顯得十分重要，而其中EMI傳導(dǎo)噪聲濾波是有效方法之一，特別是EMI噪聲源的測(cè)定與分析是設(shè)計(jì)EMI濾波器的前提條件，本文詳細(xì)分析了電力電子設(shè)備中傳導(dǎo)電磁干擾噪聲產(chǎn)生的機(jī)理，然后分析討論了幾種主要EMI噪聲源建模...
2008-10-12
ＥＭＩ 電力電子 噪聲
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電磁兼容EMC中的屏蔽技術(shù)分析
電磁場(chǎng)的屏蔽可分為靜電屏蔽、靜磁屏蔽和電磁屏蔽三種情況。本文描述了靜電屏蔽、靜磁屏蔽、電磁屏蔽的物理內(nèi)容、物理?xiàng)l件、屏蔽作用等以及它們之間的聯(lián)系。
2008-10-12
靜電 屏蔽 靜磁 電磁
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RF功率MOSFET產(chǎn)品及其工藝開(kāi)發(fā)
本文通過(guò)分析RF功率 LDMOSFET的性能和結(jié)構(gòu)特征，設(shè)計(jì)出RF 功率 LDMOSFET器件結(jié)構(gòu)，通過(guò)工藝和器件模擬確定了關(guān)鍵參數(shù)，并設(shè)計(jì)了一套符合6寸芯片生產(chǎn)線的制造工藝流程，對(duì)工藝中的難點(diǎn)提出了解決方案。
2008-10-12
RF MOSFET 性能 工藝
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