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LG電子斥資逾8億美元發(fā)展太陽能電池業(yè)務(wù)
近日，韓國LG電子表示計(jì)劃在2015年以前斥資1兆韓元(約8.28億美元)發(fā)展太陽能電池事業(yè)。LG電子預(yù)估在2015年前，太陽能電池事業(yè)將貢獻(xiàn)3兆韓元營收，產(chǎn)能由240百萬瓦提升至10億瓦。
2010-06-23
LG 太陽能 光伏 電池
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歐洲研究項(xiàng)目瞄準(zhǔn)能效更高的綠色電子產(chǎn)品
一項(xiàng)全新政府投資研究項(xiàng)目的合作方公布多國/多領(lǐng)域研究計(jì)劃“END — 節(jié)能意識(shí)設(shè)計(jì)的模型、解決方案、方法和工具”的細(xì)節(jié)。這項(xiàng)為期三年的歐洲納電子計(jì)劃顧問委員會(huì)（ENIAC）計(jì)劃的目標(biāo)是提高歐洲半導(dǎo)體和電子設(shè)備廠商在開發(fā)能效領(lǐng)先于業(yè)界的新產(chǎn)品和新技術(shù)方面的市場競爭力。
2010-06-23
END 節(jié)能 綠色 歐洲 半導(dǎo)體 電子設(shè)備
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信號(hào)速率與線纜長度的關(guān)系
致力于CAN通信的設(shè)計(jì)人員遇到種種挑戰(zhàn)，往返信號(hào)傳輸成為一個(gè)重要的考慮因素。本文介紹信號(hào)速率與線纜長度的關(guān)系，解決了傳輸速率和長度的關(guān)系，信號(hào)的往返將不再是問題。
2010-06-23
信號(hào)速率 線纜 CAN通信
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多晶硅錠制造技術(shù)
用于制造太陽能硅片的多晶硅錠的生長是一個(gè)相當(dāng)復(fù)雜的工藝。硅錠生長工藝的目標(biāo)在于優(yōu)化硅錠合格率.因此生長工藝需要進(jìn)行嚴(yán)格監(jiān)控，并需對(duì)定向凝固爐在結(jié)晶工藝期間的無數(shù)種變量加以有效控制。本文簡述多晶硅錠的制造技術(shù)
2010-06-23
多晶硅錠 凝固工藝 線切割 凝固爐
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新材料對(duì)測量技術(shù)的挑戰(zhàn)
在談及芯片技術(shù)進(jìn)步時(shí)，除了不斷縮小的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，新材料的采用往往可以另辟蹊徑。目前談?wù)撦^多的是高k介質(zhì)、金屬柵、低k材料等，其它一些較為冷門的材料，如碳納米管、石墨稀、二嵌段共聚物等也開始進(jìn)入人們的視野。越是新興的物質(zhì)越難以捉摸和測量，這就要求測量技術(shù)能夠“與時(shí)俱進(jìn)”。本文對(duì)新材料...
2010-06-23
新材料 測量技術(shù) 3D集成 硅通孔技術(shù)
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半導(dǎo)體制造晶圓檢測技術(shù)分析
半導(dǎo)體制造業(yè)廣泛采用了晶圓自動(dòng)檢測方法在制造過程中檢測缺陷，以緩解工況偏差和減低總?cè)毕菝芏取１疚慕榻B晶圓檢測方法進(jìn)展，有效方式識(shí)別與良率相關(guān)的缺陷。
2010-06-22
晶圓檢測 缺陷檢測 在線晶圓檢測
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通孔刻蝕工藝的檢測技術(shù)研究
隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)推進(jìn)到更加先進(jìn)的深亞微米技術(shù)，半導(dǎo)體金屬布線的層數(shù)越來越多，相應(yīng)的通孔刻蝕工藝也越多，并且伴隨著通孔的尺寸隨著器件設(shè)計(jì)尺寸逐步縮小。以DRAM制造為例，存儲(chǔ)量由4M發(fā)展到512M時(shí)，設(shè)計(jì)規(guī)則由1μm縮小到0.16μm，其中通孔的尺寸也從0.8μm下降到了0.25μm。通孔尺寸越小，刻蝕的...
2010-06-22
通孔刻蝕工藝 檢測技術(shù) 晶體管
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射頻封裝系統(tǒng)
在RF系統(tǒng)中，各類元件采用不同的技術(shù)制作而成，例如BBIC采用CMOS技術(shù)、收發(fā)機(jī)采用SiGe和BiCMOS技術(shù)、RF開關(guān)采用GaAs技術(shù)等。系統(tǒng)芯片(SOC)的優(yōu)勢是把所有功能整合在同一塊芯片上，但卻受到各種IC技術(shù)的限制，因此不能有效利用上述各項(xiàng)技術(shù)的優(yōu)勢。系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)可以對(duì)各種不同技術(shù)的不同電、熱和...
2010-06-22
射頻 封裝系統(tǒng) ASIC BBIC
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原子層淀積技術(shù)
ALD技術(shù)的獨(dú)特性決定了其在半導(dǎo)體工業(yè)中的運(yùn)用前景十分廣泛。器件尺寸的縮小導(dǎo)致的介質(zhì)薄膜厚度的減小已超出了其物理和電學(xué)極限，同時(shí)高縱寬比在器件結(jié)構(gòu)中隨處可見。由于傳統(tǒng)的淀積技術(shù)很難滿足需求，ALD技術(shù)已充分顯示了其優(yōu)勢，為器件尺寸的繼續(xù)微縮提供了更加廣闊的空間。本文介紹原子層淀積技...
2010-06-22
原子層淀積 ALD MOCVD PVD
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