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安防監(jiān)控

HMC641LP4E/HMC944LC4：Hittite推出單刀四擲開關(guān)用于測試測量設(shè)備

近日，全球知名的射頻微波MMIC廠商Hittite公司推出兩個SMT封裝的GaAs MMIC SP4T開關(guān)（單刀四擲），HMC641LP4E和HMC944LC4，從而為高達30GHz的工業(yè)傳感器、測試測量設(shè)備、微波通訊、電子對抗和空間應(yīng)用領(lǐng)域提供理想解決方案。

2010-11-29

HMC641LP4E HMC944LC4 單刀四擲開關(guān) 測試測量

太陽能電池艱難抉擇

原本堅持做薄膜電池的無錫尚德，做出了一個艱難的決定。公司將原本擬生產(chǎn)薄膜太陽能電池的上海工廠，轉(zhuǎn)產(chǎn)多晶硅電池。11月初，無錫尚德上海新的多晶硅電池生產(chǎn)廠正式投產(chǎn)，而這一工廠由建設(shè)中的薄膜電池廠轉(zhuǎn)型而來。

2010-11-29

太陽能電池多晶硅電池薄膜電池

10月份電子信息產(chǎn)品出口增速繼續(xù)回落

進入三季度以來,我國電子信息產(chǎn)品出口增速持續(xù)回落,10月份,電子信息產(chǎn)品出口增長14.9%,比上月回落8.2個百分點(9月比8月回落8.5個百分點)。累計到10月底,電子信息產(chǎn)品進出口額達到8143億美元,同比增長34.0%,占全國外貿(mào)進出口總額的34%...

2010-11-29

電子信息電子元件通信設(shè)備

2011第九屆北京國際電子設(shè)備、元器件及電子儀器展覽會

第九屆國際電子設(shè)備、元器件及電子儀器展覽會，將于2011年8月10-12日在北京中國國際展覽中心舉行。

2010-11-26

第九屆北京電子工業(yè)展覽會生產(chǎn)設(shè)備電子元器件測試設(shè)備

1-10月規(guī)模以上電子信息制造業(yè)實現(xiàn)銷售產(chǎn)值50589億元

隨著信息技術(shù)服務(wù)化趨勢的不斷發(fā)展,信息技術(shù)服務(wù)收入占軟件業(yè)比重逐步提高。1-10月,規(guī)模以上電子信息制造業(yè)增加值增長17.7%,高于工業(yè)平均水平1.6個百分點;實現(xiàn)銷售產(chǎn)值50589億元,增長25.9%;出口交貨值29651億元,增長28.4%,比2008年同期增長16.0%...

2010-11-26

電子信息制造業(yè) 家用視聽軟件業(yè)務(wù) 嵌入式系統(tǒng)

觸摸屏引爆電子元器件大爆發(fā)

由傳統(tǒng)興起到新型暢行，由戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)牽頭到“蘋果”概念引爆，電子元器件各環(huán)節(jié)作為各產(chǎn)業(yè)發(fā)展中不可或缺的一環(huán)，逐漸成為市場資金追逐的目標(biāo)，在觸摸屏概念股先行走俏的行情下，下一個“一觸即發(fā)”的概念在哪兒？記者昨天采訪了多位分析師。

2010-11-26

觸摸屏電子元器件 IGBT LED照明傳統(tǒng)元器件

PCIM-Asia 2011為電網(wǎng)配套設(shè)備提供參考

隨著現(xiàn)代化工程設(shè)施對電量需求的增加，以及電網(wǎng)設(shè)備的升級，用戶對大電流傳輸系統(tǒng)有了更高的要求。在輸電領(lǐng)域，母線已經(jīng)在很多場合開始取代傳統(tǒng)多路電纜。母線作為電力高速公路具有良好的穩(wěn)定性，散熱性，并且安裝簡便，避免了傳統(tǒng)施工中的諸多問題。

2010-11-25

電網(wǎng)配套設(shè)備 PCIM-Asia 2011 大電流傳輸母線傳統(tǒng)電纜

辰駒電子高安全性電路保護解決方案閃耀深圳高交會

在剛剛閉幕的深圳高新技術(shù)成果交流會上，深圳市辰駒電子科技有限公司(CNJU)攜多款電路保護產(chǎn)品出席，其中包括封裝型高能防火防爆壓敏電阻、 TMOV、陶瓷氣體放電管、無續(xù)流過電壓保護器PQ系列、低壓避雷器等。大方簡約的展臺吸引了很多的觀眾，并充分了解辰駒電子的產(chǎn)品和技術(shù)。

2010-11-25

電路保護高安全性辰駒電子高交會

超低壓雙電層晶體管研究獲得進展

膜晶體管(Thin-filmtransistors,TFTs)是一類重要的半導(dǎo)體器件，在平板顯示、傳感器等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用價值。最近幾年，寬帶隙氧化物半導(dǎo)體由于其具有低溫成膜、高電子遷移率、可見光透明等優(yōu)點，在薄膜晶體管領(lǐng)域引起了人們廣泛的研究興趣。由于常規(guī)SiO2柵介質(zhì)電容耦合較弱，當(dāng)前薄膜晶體管的典型...

2010-11-25

薄膜晶體管半導(dǎo)體器件階段性突破

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