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分析常見(jiàn)UPS故障現(xiàn)象原因
在日常處理Smart-UPS報(bào)修申請(qǐng)的過(guò)程中，我們發(fā)現(xiàn)有許多UPS的故障現(xiàn)象是由于電池、市電、使用環(huán)境和使用方法等因素造成的，有相當(dāng)一部分UPS本身并沒(méi)有出現(xiàn)故障。如果能將這些因素找出來(lái)，判斷出并非是由于UPS引起的故障現(xiàn)象，可以更快速的為客戶解決問(wèn)題。下面我們?cè)敿?xì)列出這些影響 UPS運(yùn)行的因素。
2011-08-12
UPS 蓄電池 市電
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ESSP-2000：索尼將上市最大容量為2.4kWh的商用蓄電池
索尼宣布，開(kāi)發(fā)出了蓄電容量2.4kWh的商用蓄電池“ESSP-2000”，將于2011年9月上市。該蓄電池若與交流（AC）100V電源連接，2個(gè)小時(shí)左右即可快速充電95％。適用于應(yīng)急備用電源和在夜晚充電供白天使用的電力削峰填谷。
2011-08-12
電池 鋰離子 充電電池 計(jì)時(shí)器
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美開(kāi)發(fā)納米設(shè)備充電裝置 可為微電子產(chǎn)品供電
據(jù)美國(guó)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日?qǐng)?bào)道，美國(guó)萊斯大學(xué)在儲(chǔ)能設(shè)備微型化研究方面取得新進(jìn)展，開(kāi)發(fā)出兩款微型的充電裝置，一種是薄膜式超級(jí)電容器，另一種是可充放電的納米線，有望為將來(lái)的微型電子產(chǎn)品和納米設(shè)備提供電源。這兩項(xiàng)研究分別發(fā)表在近期《自然-納米技術(shù)》網(wǎng)站和《納米快報(bào)》上。
2011-08-12
充電 微電子 激光 電池
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Fluke 190 Series II ：福祿克推出便攜式二通道示波表用于測(cè)量測(cè)試
福祿克（Fluke）公司，便攜式電子測(cè)試和測(cè)量技術(shù)的全球領(lǐng)先供應(yīng)商，近日推出Fluke 190 Series II 系列便攜式二通道示波表，該新品將二通道示波表與 5000 計(jì)數(shù)數(shù)字萬(wàn)用表和無(wú)紙記錄模式相結(jié)合，打造了先進(jìn)的測(cè)試和測(cè)量工具，維修和維護(hù)專業(yè)人員可以依賴這些工具在現(xiàn)場(chǎng)對(duì)設(shè)備性能問(wèn)題進(jìn)行故障排查。
2011-08-12
便攜式 示波表 電力信號(hào) 電力系統(tǒng)
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瞬時(shí)通斷測(cè)量?jī)x測(cè)量方案
瞬時(shí)通斷測(cè)量?jī)x是為配合此試驗(yàn)而產(chǎn)生的設(shè)備，在繼電器抖動(dòng)試驗(yàn)過(guò)程中，它可準(zhǔn)確無(wú)誤地檢測(cè)出繼電器每路觸點(diǎn)瞬時(shí)出現(xiàn)的誤動(dòng)作，本文研究對(duì)此類設(shè)備的測(cè)量方法。
2011-08-12
瞬時(shí)通斷 測(cè)量?jī)x 繼電器 信號(hào)采集
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一種混合信號(hào)實(shí)現(xiàn)LED降壓升壓驅(qū)動(dòng)電路
針對(duì)照明應(yīng)用的大功率LED要采用恒流源驅(qū)動(dòng)，一些標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)電流常常用在不同LED生產(chǎn)商的產(chǎn)品中，其中，350mA和700 mA最為常見(jiàn)。根據(jù)串聯(lián)結(jié)的類型和數(shù)量，LED兩端的正向壓降可能不同。許多生產(chǎn)廠商的大功率LED產(chǎn)品都在單個(gè)模塊中集成了多個(gè)結(jié)。
2011-08-12
LED 降壓升壓 驅(qū)動(dòng)電路 開(kāi)關(guān)電源
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MOSFET的選型及應(yīng)用概覽
MOSFET廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路中，和我們的生活密不可分。隨著汽車(chē)、通信、能源、消費(fèi)、綠色工業(yè)等大量應(yīng)用MOSFET產(chǎn)品的行業(yè)在近幾年來(lái)得到了快速的發(fā)展，功率MOSFET更是備受關(guān)注。本期半月談將會(huì)從基礎(chǔ)開(kāi)始，探討MOSFET的一些基礎(chǔ)知識(shí)，包括選型、關(guān)鍵參數(shù)的介紹、系統(tǒng)和散熱的考慮等等；最...
2011-08-12
MOSFET 溝道 MOSFET選型 LED燈具驅(qū)動(dòng)
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AEM科技喜獲UL目擊實(shí)驗(yàn)室資質(zhì)
AEM科技（蘇州）股份有限公司于北京時(shí)間7月28日取得UL目擊實(shí)驗(yàn)室資質(zhì)。這是中國(guó)大陸境內(nèi)第一家限流熔斷器生產(chǎn)商獲得本項(xiàng)資質(zhì)，將使AEM熔斷器新產(chǎn)品的UL認(rèn)證周期大大縮短，為加快研發(fā)成果商品化及高效服務(wù)客戶提供了便利。
2011-08-11
AEM UL 實(shí)驗(yàn)室
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尺寸縮小對(duì)溝槽MOSFET性能的影響
隨著電子消費(fèi)產(chǎn)品需求的日益增長(zhǎng)，功率MOSFET的需求也越來(lái)越大。其中，TMOS由于溝道是垂直方向，在相同面積下，單位元胞的集成度較高，因此導(dǎo)通電阻較低，同時(shí)又具有較低的柵－漏電荷密度、較大的電流容量，從而具備了較低的開(kāi)關(guān)損耗及較快的開(kāi)關(guān)速度。
2011-08-11
MOSFET 溝道 溝槽式接觸 導(dǎo)通電阻
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