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電路保護(hù)

TE5和TR5:Littelfuse電子鎮(zhèn)流器應(yīng)用超小型保險(xiǎn)絲

Littelfuse (美國力特公司）推出2款全新的面向熒光照明中電子鎮(zhèn)流器應(yīng)用的超小型延時(shí)、徑向引線保險(xiǎn)絲系列

2009-01-29

美國力特電子整流器保險(xiǎn)絲

為大功率和混合動力汽車優(yōu)化的Vishay負(fù)載突降保護(hù)器件

現(xiàn)在汽車上的電子設(shè)備越來越多，所有連接在供電線路上的電子系統(tǒng)的保護(hù)器件不可能平均分擔(dān)瞬態(tài)能量。瞬態(tài)能量對連接的那些最低阻抗的保護(hù)器件的影響尤為嚴(yán)重。因此，在汽車電子設(shè)計(jì)中，一個(gè)保護(hù)器件要能夠安全地承受負(fù)載突降狀態(tài)瞬變的全部能量。本文介紹了負(fù)載突降的概念和該如何去應(yīng)對該種情況以...

2009-01-25

負(fù)載突降 TVS 混合動力汽車 Vishay 電路保護(hù)

淺析ESD防護(hù)與ESD防護(hù)器件

ESD會對電子產(chǎn)品帶來致命損害，本文介紹了防止ESD產(chǎn)生和保護(hù)電子設(shè)備不受ESD損害的方法。并專門介紹了瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)在ESD保護(hù)方面的卓越性能。

2009-01-23

MLV TVS ESD 靜電電路保護(hù) 安森美

多晶硅量子效應(yīng)及其對MOSFET閾值電壓的影響

根據(jù)載流子分布曲線近似，通過求解泊松方程，得到了多晶硅中電場及其電勢的分布，計(jì)算了在不同摻雜濃度下多晶硅量子效應(yīng)所引起的MOSFET閾值電壓的偏移，并與數(shù)值模擬的結(jié)果進(jìn)行了比較，表明其具有較好的準(zhǔn)確性

2009-01-17

多晶硅量子 MOSFET 閾值電壓

3G手機(jī)LED顯示屏與攝像模塊的ESD保護(hù)技術(shù)

在3G時(shí)代，手機(jī)多媒體業(yè)務(wù)的進(jìn)一步導(dǎo)入將使LCD顯示屏和攝像頭的分辨率邁上新臺階?，F(xiàn)有的顯示和攝像模塊與基帶電路或者多媒體處理器之間通過柔性電纜進(jìn)行的并行連接將變得擁擠，同時(shí)EMI問題也變得非常關(guān)鍵。為了解決這些問題，一些顯示器制造商、半導(dǎo)體廠商和攝像模塊制造商已經(jīng)開發(fā)了高速串行總線...

2009-01-15

3G 手機(jī) 并行接口串行接口 ESD EMI ST

HUBER+SUHNER推出新款電磁保護(hù)連接器

HUBER+SUHNER日前推出一款電磁保護(hù)連接器，它優(yōu)化的設(shè)計(jì)能承受高電流而且能減少接觸電阻，現(xiàn)在，雷電電磁保護(hù)器(LEMP)頻率高達(dá)6GHz、核電磁脈沖保護(hù)器(NEMP)和高幅電磁脈沖保護(hù)器(HEMP)已經(jīng)能廣泛適用民用和軍事領(lǐng)域。

2009-01-05

電磁保護(hù) 電磁保護(hù)連接器電磁保護(hù)器

用協(xié)同電路保護(hù)技術(shù)保護(hù)繼電器

介紹有可能損壞繼電器的幾種情況和可以保護(hù)繼電器的方法和元器件。其中，PPTC可以防止過流對繼電器的損害，MOV、MLV等過壓保護(hù)器件可以防止電壓過大對繼電器造成的損害。

2008-12-31

繼電器保護(hù)電路 PPTC MOV MLV

ESDALCxx-1U2系列：ST全新ESD保護(hù)二極管

意法半導(dǎo)體推出全新ESD保護(hù)二極管產(chǎn)品系列，新產(chǎn)品的尺寸比上一代縮小 67%，能夠承受最嚴(yán)格的IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)的 ESD測試脈沖，低鉗位電壓特性有助于提高對調(diào)制解調(diào)器等低壓芯片的保護(hù)性能。

2008-12-29

ESDALC3V9-1U2 ESDALC6V1-1U2 ESDALC14V2-1U2 ESDALCxx-1U2 ESD保護(hù) 二極管保護(hù)器件漏電流電容

愛普科斯MLCC家族添新丁，防靜電版本誕生

愛普科斯新型E系列多層陶瓷電容器為高度堅(jiān)固元件，采用X7R材料制作而成，其抗靜電放電脈沖能力與標(biāo)準(zhǔn)型號相比更加卓越。

2008-12-24

MLCC 靜電保護(hù) ESD AEC-Q200

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