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物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)需要高集成度和小尺寸功率轉(zhuǎn)換器件
在功率譜的中低端存在一些不太大的功率轉(zhuǎn)換要求，這在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)設(shè)備之類的應(yīng)用中很常見。這些應(yīng)用需要使用能夠處理適度電流水平的功率轉(zhuǎn)換IC。電流通常在數(shù)百毫安范圍，但如果板載功率放大器為了傳輸數(shù)據(jù)或視頻而存在峰值功率需求，那么電流量可能更高。因此，隨著支持眾多物聯(lián)網(wǎng)器件的無線傳感器...
2021-02-08
物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng) 高集成度 功率轉(zhuǎn)換器
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IGBT雙脈沖測試詳解
電源設(shè)備硬件主功率部分的電路性能直接影響產(chǎn)品品質(zhì)，但開發(fā)過程中，在樣機測試階段才能對其性能進行評測。有些公司為保證產(chǎn)品開發(fā)進度，僅采取不得已的補救措施，產(chǎn)品不僅非最優(yōu)設(shè)計，甚至?xí)o產(chǎn)品的質(zhì)量埋下隱患。而我司在產(chǎn)品設(shè)計初期就采用IGBT雙脈沖測試，提前對硬件電路設(shè)計進行多維度測試評...
2021-02-07
IGBT 雙脈沖測試
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開關(guān)電源設(shè)計原型的分析模擬和實驗
環(huán)路控制是開關(guān)電源設(shè)計的一個重要部分。然而，由于各種原因，在選定主要元件后，研究往往在項目結(jié)束時被拋到了腦后。通過簡單的試驗和錯誤分析，我們有時候會覺得，如果設(shè)計能夠在示波器上實現(xiàn)可接受的瞬態(tài)響應(yīng)，那么該設(shè)計便已準備好用于生產(chǎn)，但這種想法非常不明智，而且可能導(dǎo)致高昂代價。這是...
2021-02-07
開關(guān)電源 設(shè)計原型 實驗
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搶占智能制造高地，3月4號廣州智能制造系列高峰論壇與您相約！
智能制造是數(shù)字經(jīng)濟的皇冠，必將成為各國搶占數(shù)字經(jīng)濟制高點的主戰(zhàn)場。作為雙循環(huán)基礎(chǔ)發(fā)力點，智能制造將成為提升國家整體制造業(yè)水平不可忽略的增長引擎。十九屆五中全會提出的“基本實現(xiàn)新型工業(yè)化”的目標將進一步加速推進我國智能制造發(fā)展。
2021-02-05
智能制造 高峰論壇
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集成電路是如何被發(fā)明的？
也許上天有意要人類發(fā)明出集成電路（IC：Integrated Circuit），幾乎在同時，兩組人在個不知曉對方發(fā)明工作的情況下，獨立設(shè)計出幾乎相同的集成電路。
2021-02-05
集成電路 商用芯片 Ti 502
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存在互感的電感串并聯(lián)
電感器是電路中常見的重要元器件，常用在信號濾波、電能轉(zhuǎn)換、信號耦合以及磁場檢測等。它利用電磁感應(yīng)原理對流過的電流的變化產(chǎn)生感應(yīng)電動勢，兩端的電壓與電流的變化率成正比，其中的比率就是電感的重要參數(shù)：電感量，通常記作L。
2021-02-05
互感 電感串并聯(lián)
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如何準確地測量芯片的電源噪聲
隨著5G、車聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)的飛速發(fā)展，信號的傳輸速度越來越快，集成電路芯片的供電電壓隨之越來越小。早期芯片的供電通常是5V和3.3V，而現(xiàn)在高速IC的供電電壓已經(jīng)到了2.5V、1.8V或1.5V，有的芯片的核電壓甚至到了1V。芯片的供電電壓越小，電壓波動的容忍度也變得越苛刻。對于這類供電電壓較小的高速芯...
2021-02-05
測試測量 芯片 電源噪聲
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艾邁斯半導(dǎo)體榮獲2021華勤技術(shù)“最佳協(xié)同獎”
2021年2月4日——全球領(lǐng)先的高性能傳感器解決方案供應(yīng)商艾邁斯半導(dǎo)體（ams AG，瑞士股票交易所股票代碼：AMS）宣布，憑借其出色的產(chǎn)品性能、杰出的交付能力和優(yōu)秀的服務(wù)質(zhì)量，艾邁斯半導(dǎo)體在華勤技術(shù)2021全球核心供應(yīng)商大會上榮獲“最佳協(xié)同獎”，華勤技術(shù)供應(yīng)鏈副總裁姚錫春親自為艾邁斯半導(dǎo)體頒獎。該...
2021-02-04
艾邁斯半導(dǎo)體 華勤技術(shù) 最佳協(xié)同獎
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如何使AB類輸出更安全
廣泛應(yīng)用的AB類放大器push-pull電路如圖1，但是現(xiàn)在有了一些改進。首先，我們來看看它的熱補償是如何工作的。Q1和Q2表示輸出晶體管的捷徑，因為通常這些輸出器件是達林頓或互補對。Q1和Q2的偏置電壓與齊納（D1）電壓和Q4和Q5晶體管的Vbe壓降相加，后者與溫度有關(guān)。通常Q4和Q5與晶體管Q1和Q2位于同一...
2021-02-04
AB類放大器 push-pull電路
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