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高阻抗微弱信號(hào)測(cè)量的保護(hù)電路設(shè)計(jì)
空氣質(zhì)量檢測(cè)、光電信號(hào)探測(cè)、加速度計(jì)、壓電傳感器以及生物體信號(hào)等高阻抗信號(hào)測(cè)量，易受到來(lái)自測(cè)量系統(tǒng)輸入電阻、輸入偏置電流的影響，實(shí)際測(cè)量系統(tǒng)中主要有與信號(hào)路徑相并聯(lián)的元器件如電阻、電容的分流，電纜泄漏電流和印刷電路板寄生漏電流的影響。因此，高阻抗微弱信號(hào)測(cè)量電路，必須經(jīng)過(guò)精心...
2011-10-14
高阻抗微弱信號(hào) 測(cè)量 保護(hù)電路 高阻抗信號(hào)
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PCB布局和布線的設(shè)計(jì)技巧
隨著PCB 尺寸要求越來(lái)越小，器件密度要求越來(lái)越高，PCB 設(shè)計(jì)的難度也越來(lái)越大。如何實(shí)現(xiàn)PCB 高的布通率以及縮短設(shè)計(jì)時(shí)間，在這筆者談?wù)剬?duì)PCB 規(guī)劃、布局和布線的設(shè)計(jì)技巧。
2011-10-14
PCB 印制電路板 布局 布線
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PCB布局和布線的設(shè)計(jì)技巧
隨著PCB 尺寸要求越來(lái)越小，器件密度要求越來(lái)越高，PCB 設(shè)計(jì)的難度也越來(lái)越大。如何實(shí)現(xiàn)PCB 高的布通率以及縮短設(shè)計(jì)時(shí)間，在這筆者談?wù)剬?duì)PCB 規(guī)劃、布局和布線的設(shè)計(jì)技巧。
2011-10-14
PCB 印制電路板 布局 布線
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五大硅磁傳感器供應(yīng)商占全球總體市場(chǎng)的80%以上
根據(jù)IHSiSuppli公司的MEMS與傳感器專題報(bào)告，五大硅磁傳感器供應(yīng)商占全球總體市場(chǎng)的80%以上。這類(lèi)傳感器廣泛用于汽車(chē)應(yīng)用，以及智能手機(jī)和平板電腦的數(shù)字羅盤(pán)之中，如蘋(píng)果公司的iPhone和iPad。
2011-10-14
硅磁傳感器 傳感器 磁傳感器
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五大硅磁傳感器供應(yīng)商占全球總體市場(chǎng)的80%以上
根據(jù)IHSiSuppli公司的MEMS與傳感器專題報(bào)告，五大硅磁傳感器供應(yīng)商占全球總體市場(chǎng)的80%以上。這類(lèi)傳感器廣泛用于汽車(chē)應(yīng)用，以及智能手機(jī)和平板電腦的數(shù)字羅盤(pán)之中，如蘋(píng)果公司的iPhone和iPad。
2011-10-14
硅磁傳感器 傳感器 磁傳感器
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我國(guó)鋰電池產(chǎn)業(yè)區(qū)域布局呈三大發(fā)展趨勢(shì)
未來(lái)，我國(guó)鋰電池產(chǎn)業(yè)空間演變將呈現(xiàn)出三大趨勢(shì)，即產(chǎn)業(yè)梯度轉(zhuǎn)移趨勢(shì)加劇，中西部地區(qū)比較優(yōu)勢(shì)明顯，上游的鋰電池材料產(chǎn)業(yè)更多的集中在東部地區(qū)，而下游的電芯組裝等環(huán)節(jié)將逐步向中西部地區(qū)轉(zhuǎn)移；鋰離子動(dòng)力電池成為升級(jí)方向，產(chǎn)業(yè)向傳統(tǒng)汽車(chē)城市匯集。高端鋰電池材料“門(mén)檻”較高，東部區(qū)域優(yōu)勢(shì)將更...
2011-10-14
鋰電池 鋰離子電池 電池
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5年內(nèi)過(guò)半手機(jī)解析度將超200PPI
根據(jù)Display Search調(diào)查指出，在大尺寸面板方面(大于9.1寸)，平均每英寸像素(PPI)將從2010年的88ppi，到2015年將成長(zhǎng)至98ppi。而中小尺寸液晶面板(小于9.0寸)平均每英寸像素(PPI)在同樣期間將從180ppi成長(zhǎng)到210ppi。
2011-10-14
手機(jī) 解析度 PPI 顯示屏 面板
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KT5032F：京瓷金石推出最小尺寸高精度溫度補(bǔ)償型晶體振蕩器
京瓷株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱“京瓷”）的全資子公司、晶體元器件開(kāi)發(fā)制造公司——京瓷金石株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱“京瓷金石”）成功研發(fā)出綜合頻率穩(wěn)定度高達(dá)±100ppb（±100×10-9）、全球最小尺寸（5.0×3.2×1.7(max)mm）的高精度溫度補(bǔ)償型晶體振蕩器（以下簡(jiǎn)稱“TCXO”）“KT5032F”。該產(chǎn)品主要適用于支持大容量高速...
2011-10-14
KT5032F 京瓷金石溫度補(bǔ)償型晶體振蕩器 TCXO
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E系列：Vishay推出超低最大導(dǎo)通電阻600V和650V n溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍。
2011-10-14
E系列 Vishay MOSFET n溝道功率MOSFET
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