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TCD0806B-350-2P:TDK-EPC薄膜共模濾波器新增抑制差模噪聲功能
TDK株式會社集團下屬子公司TDK-EPC開發(fā)出業(yè)內首創(chuàng)的可同時實現抑制高速差分傳輸過程中產生的共模噪聲及GSM頻段的差模噪聲功能的薄膜共模濾波器（TCD0806B-350-2P），并從2011年9月開始量產。
2011-10-12
射頻 濾波器 熱量 放大器
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Arcolectric與BioCote公司建立伙伴關系開發(fā)獨特的抗菌開關系列
Arcolectric與BioCote公司建立伙伴關系開發(fā)獨特的抗菌開關系列英國羅姆福德/美國/中國，近日 –Elektron Technology有限公司與BioCote有限公司簽署了一項合作伙伴協(xié)議，以開發(fā)世界第一款抗菌電子器件。
2011-10-12
開發(fā) 抗菌 開關 醫(yī)療
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測量高頻PWM實時功率的乘法器電路
對于電機或伺服器這些需要精確監(jiān)視或調節(jié)負載耗散功率的產品來說，可以通過計算負載電壓和電流的乘積來測量實際功率。但如果電壓電流為高頻波時，測量相應的功率并非易事，這就是脈寬調制(PWM)電機所面臨的問題。
2011-10-12
工業(yè)光纖 高壓變頻器 弱電 PWM
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對便攜式音頻設備的定量分析
便攜式音頻設備的特殊要求是產品設計的關鍵，產品A優(yōu)于其競爭產品B，而且使用更理想的原因是什么? 從性能上看，競爭產品之間的頻率響應平坦度和THD+N等指標相差不大，很難區(qū)分哪一個產品性能更好。從用戶接口能夠評判產品的主要差異，但這在很大程度上取決于主觀評價。我們可以利用客觀的音頻性能指...
2011-10-12
便攜式 音頻設備 放大器 噪聲電平
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小尺寸集成電路CDM測試
集成電路(IC)的靜電放電(ESD)強固性可藉多種測試來區(qū)分。最普遍的測試類型是人體模型(HBM)和充電器件模型(CDM)。這兩種ESD測試類型旨在揭示包含基本ESD控制的制造環(huán)境下，電路在ESD應力下的存續(xù)情況如何。HBM是應用最久的ESD測試，但工廠ESD控制專家普遍認為，在現代高度自動化的組裝運營中，CDM是...
2011-10-12
CDM測試 IC HBM 集成電路
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Vishay的SiR662DP功率MOSFET獲《今日電子》Top10 DC/DC電源產品獎
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其SiR662DP 60V n溝道TrenchFET?功率MOSFET被《今日電子》雜志評為第九屆年度Top-10 DC/DC電源產品獎的獲獎產品。
2011-10-11
SiR662DP Vishay 功率MOSFET 電源產品
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開關電源的干擾分析及其抑制措施
開關電源本身產生的干擾直接危害著電子設備的正常工作抑制開關電源本身的電磁噪聲．是開發(fā)和設計開關電源的一個重要課題。簡要地對開關電源電磁干擾產生、傳播的機理進行了介紹，總結了幾種主要的抑制開關電源電磁干擾產生及傳播的方法。
2011-10-11
開關電源 干擾 抑制
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三相IGBT全橋隔離驅動電源設計
本文針對10 kW三相IGBT全橋變換器設計了一種隔離驅動電源，提供4路相互隔離的輸出，每路輸出均提供+15 V／-9 V電源。電源功率較小，考慮成本和效率，采用單端反激式結構。
2011-10-11
IGBT 全橋隔離 驅動電源 隔離驅動電源 變換器
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高壓功率VDMOSFET的設計與研制
隨著現代工藝水平的提高與新技術的開發(fā)完善，功率VDMOSFET設計研制朝著高壓、高頻、大電流方向發(fā)展，成為目前新型電力電子器件研究的重點。本文設計了漏源擊穿電壓為500 V，通態(tài)電流為8 A，導通電阻小于O．85 Ω的功率VDMOSFET器件，并通過工藝仿真軟件TSUPREM-4和器件仿真軟件MEDICI進行聯(lián)合優(yōu)化仿...
2011-10-11
VDMOSFET 高壓功率MOS管 MOSFET
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