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2011年高容量電池將開始進(jìn)行大量商品化
2010年各類消費(fèi)性電子產(chǎn)品的持續(xù)成長，帶動了不同應(yīng)用領(lǐng)域的鋰電池的需求。2011年低容量電池芯已達(dá)價(jià)格低點(diǎn)，且日系廠商已逐步往下游組裝Package廠移動，韓國電芯廠價(jià)格戰(zhàn)情形將減緩。為了刺激終端需求，高容量電池將開始進(jìn)行大量商品化...
2011-02-17
電池 電子產(chǎn)品 電池芯 高容量 商品化
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2011西安安防博覽會-安防工程精英百人游世園活動拉開序幕
2011西安安防博覽會-安防工程精英百人游世園活動拉開序幕
2011-02-15
2011西安安防博覽會-安防工程精英百人游世園活動拉開序幕
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遠(yuǎn)程醫(yī)療保健是便攜醫(yī)療電子發(fā)展的終極目標(biāo)
遠(yuǎn)程醫(yī)療保健是便攜醫(yī)療電子設(shè)備發(fā)展的終極目標(biāo)，先進(jìn)的技術(shù)可實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程監(jiān)視和診斷，有時(shí)甚至還可以通過便攜式醫(yī)療設(shè)備進(jìn)行治療。實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程醫(yī)療的關(guān)鍵是要把病歷電子化，需要從過去的電子病歷信息收集轉(zhuǎn)變?yōu)楦呒壍倪h(yuǎn)程測試、檢測和防御。便攜式或家用診斷器件是實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程醫(yī)療的基本載體，它可通過測...
2011-02-15
醫(yī)療電子 便攜醫(yī)療設(shè)備 智能化 電子化 多元化 無線通信 體外控制
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2011第十屆華東國際電子工業(yè)制造展覽會
華東國際電子工業(yè)制造展覽會
2011-02-11
華東國際電子工業(yè)制造展覽會
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優(yōu)化高電壓IGBT在高效率太陽能逆變器中的應(yīng)用
多年來的調(diào)查和分析顯示，IGBT比其他功率晶體管有更多優(yōu)點(diǎn)，當(dāng)中包括更高電流能力，利用電壓而非電流來進(jìn)行柵極控制，以及能夠與一個(gè)超快速恢復(fù)二極管協(xié)同封裝來加快關(guān)斷速度。此外，工藝技術(shù)及器件結(jié)構(gòu)的精細(xì)改進(jìn)也使IGBT的開關(guān)性能得到相當(dāng)?shù)母纳啤Ｆ渌麅?yōu)點(diǎn)還包括更好的通態(tài)性能，以及擁有高度耐...
2011-02-06
高電壓IGBT 太陽能 逆變器
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浪涌保護(hù)器（SPD）的基本原理及應(yīng)用
電涌保護(hù)器(Surge Protective Device，SPD)又稱浪涌保護(hù)器，是用于帶電系統(tǒng)中限制瞬態(tài)過電壓和導(dǎo)引泄放電涌電流的非線性防護(hù)器件，用以保護(hù)耐壓水平低的電器或電子系統(tǒng)免遭雷擊及雷擊電磁脈沖或操作過電壓的損害。本文介紹浪涌保護(hù)器（SPD）的基本原理及應(yīng)用。
2011-02-05
浪涌保護(hù)器 SPD 原理 應(yīng)用 計(jì)算機(jī)系統(tǒng)
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一種低壓程控電源的設(shè)計(jì)
在應(yīng)用直流疊加法檢測XLPE電纜絕緣電阻的方法中[1]，為了抵消測量中干擾的影響，要求在測試過程中能變換電源的極性，而且在某段過程中，要求能完全切斷電源。我們利用電力電子器件，實(shí)現(xiàn)了一種在測量過程中可控的低壓電源，為實(shí)現(xiàn)測量的全面自動化鋪平了道路。
2011-02-01
程控電源 MOSFET 過流保護(hù) 過壓保護(hù)
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富士膠片開發(fā)出替代ITO的透明導(dǎo)電薄膜
富士膠片開發(fā)出了具有高透射率和彎曲性的透明導(dǎo)電薄膜。主要用于觸摸面板，計(jì)劃取代ITO薄膜使用。該公司在“第二屆尖端電子材料EXPO～材料日本～”（2011年1月19～21日，東京有明國際會展中心）上公開了試制品。
2011-01-28
富士膠片 ITO 透明 導(dǎo)電薄膜 觸摸面板
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飛兆推出UniFET? II MOSFET消費(fèi)產(chǎn)品功率轉(zhuǎn)換器
開關(guān)電源的設(shè)計(jì)人員需要能夠耐受反向電流尖刺并降低開關(guān)損耗的高電壓MOSFET器件，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)憑借精深的MOSFET技術(shù)知識，開發(fā)出經(jīng)優(yōu)化的功率MOSFET產(chǎn)品UniFET? II MOSFET，新產(chǎn)品具有更佳的體二極管和更低的開關(guān)損耗，并可在二極管恢復(fù)dv/dt模式下耐受雙倍電流應(yīng)力。
2011-01-27
UniFET? II MOSFET 飛兆 消費(fèi)產(chǎn)品 功率轉(zhuǎn)換器 開關(guān)電源
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